S6205
650V, 12A, Silicon-carbide (SiC) SBD dạng die trần (Bare Die)
S6205 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- S6205
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 0
- Điện áp ngược [V]
- 650
- Dòng thuận liên tục [A]
- 12
- Thế hệ
- 2nd Gen
- Nhiệt độ tiếp giáp (Max.) [°C]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Schottky |
| Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)) | 650 V |
| Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io)) | 12A |
| Kiểu lắp (Mounting Type) | Through Hole |
Thông tin chi tiết
S6205 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Để mua Bare Die, vui lòng liên hệ văn phòng kinh doanh của chúng tôi để biết thông số kỹ thuật. Hiện tại chúng tôi không bán Bare Die qua các nhà phân phối trên internet.
Tính năng chính
- · Thời gian phục hồi ngắn hơn
- · Giảm sự phụ thuộc vào nhiệt độ
- · Có thể chuyển mạch tốc độ cao
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| S6207 ROHM SemiconductorS6207 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6301 ROHM SemiconductorS6301 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6302 ROHM SemiconductorS6302 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6304 ROHM SemiconductorS6304 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6305 ROHM SemiconductorS6305 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6306 ROHM SemiconductorS6306 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6307 ROHM SemiconductorS6307 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6401 ROHM SemiconductorS6401 là diode chắn Schottky (SBD) loại planar epitaxial SiC (Silicon Carbide). Giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |