Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

VS8V0UA1LBTBR1

Bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) 8V 600W, độ tin cậy cao

VS8V0UA1LB là diode TVS độ tin cậy cao, dùng để bảo vệ chống xung đột biến.

VS8V0UA1LBTBR1, SMBP

Thông số

Mã nhà sản xuất
VS8V0UA1LBTBR1
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
SMBP
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
VS8V0UA1LB
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Mã vỏ
DO-214AA (SMB)
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Số chân
2
PPP @ 10/1000us (Max.) [W]
600
Cấu hình
Đơn
Số đường bảo vệ
1
VRWM [V]
8
VBR (Min.) [V]
8.89
VBR (Max.) [V]
9.83
IR (Max.) [uA]
50
VCL @ IPP 10/1000us (Max.) [V]
13.6
IPP 10x1000us (Max.) [A]
44.1
VESDIEC61000-4-2 [kV]
30
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
150
Kích thước vỏ [mm]
5.34x3.62 (t=2.45)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Diode TVS
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Số kênh hai chiều (Bidirectional Channels)1
Điện áp chờ ngược (Vrwm) (Voltage - Reverse Standoff (Typ))8V
Công suất xung đỉnh (Power - Peak Pulse)600W

Thông tin chi tiết

VS8V0UA1LB là diode TVS độ tin cậy cao, dùng để bảo vệ chống xung đột biến.

Tính năng chính

  • Độ tin cậy cao
  • Loại power mold nhỏ

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
VS90VLNVWMTFTR

ROHM SemiconductorVS90VLNVWMTF là diode TVS độ tin cậy cao đạt chuẩn AEC-Q101, dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ.

PMDE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS90VLNVWMTR

ROHM SemiconductorVS90VLNVWM là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu suất tản nhiệt tốt.

PMDE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS9V0UA1LAMTFTR

ROHM SemiconductorVS9V0UA1LAMTF là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến. Đây là sản phẩm độ tin cậy cao dùng cho ô tô.

PMDTM

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS9V0UA1LAMTR

ROHM SemiconductorVS9V0UA1LAM là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến.

PMDTM

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS9V0UA1LBTBR1

ROHM SemiconductorVS9V0UA1LB là diode TVS độ tin cậy cao, dùng để bảo vệ chống xung đột biến.

SMBP

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS9V0UA1VWMTFTR

ROHM SemiconductorVS9V0UA1VWMTF là diode TVS độ tin cậy cao đạt chuẩn AEC-Q101, dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ.

PMDE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS9V0UA1VWMTR

ROHM SemiconductorVS9V0UA1VWM là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu suất tản nhiệt tốt.

PMDE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS9V0UD1HST15R

ROHM SemiconductorVS9V0UD1HS là diode TVS có kích thước cực nhỏ 0603 (0201 inch) nhưng có khả năng chống ESD cao và chịu dòng quá độ lớn. Lý tưởng để bảo vệ ESD cho tai nghe không dây và headset, đồng hồ thông minh, thiết bị di động.

SMD0603B

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá