VS9V0UA1LAMTR
Bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS)
VS9V0UA1LAM là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- VS9V0UA1LAMTR
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- PMDTM
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- VS9V0UA1LAM
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Mã vỏ
- SOD-128
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 2
- PPP @ 10/1000us (Max.) [W]
- 600
- Cấu hình
- Đơn
- Số đường bảo vệ
- 1
- VRWM [V]
- 9
- Tj [℃]
- 150
- VCL @ IPP 10/1000us (Max.) [V]
- 15.4
- IPP 10x1000us (Max.) [A]
- 39
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 4.7x2.5 (t=1.05)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode TVS |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Số kênh hai chiều (Bidirectional Channels) | 1 |
Thông tin chi tiết
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| VS9V0UA1LBTBR1 ROHM SemiconductorVS9V0UA1LB là diode TVS độ tin cậy cao, dùng để bảo vệ chống xung đột biến. SMBP Datasheet (PDF) | SMBP | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS9V0UA1VWMTFTR ROHM SemiconductorVS9V0UA1VWMTF là diode TVS độ tin cậy cao đạt chuẩn AEC-Q101, dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS9V0UA1VWMTR ROHM SemiconductorVS9V0UA1VWM là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu suất tản nhiệt tốt. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| VS9V0UD1HST15R ROHM SemiconductorVS9V0UD1HS là diode TVS có kích thước cực nhỏ 0603 (0201 inch) nhưng có khả năng chống ESD cao và chịu dòng quá độ lớn. Lý tưởng để bảo vệ ESD cho tai nghe không dây và headset, đồng hồ thông minh, thiết bị di động. SMD0603B Datasheet (PDF) | SMD0603B | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| CDZCVT2R5.1B ROHM SemiconductorCDZCV5.1B là diode TVS (bộ triệt xung điện áp quá độ) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến. VMN2M Datasheet (PDF) | VMN2M | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| CDZCVT2R6.8B ROHM SemiconductorCDZCV6.8B là diode TVS (bộ triệt xung điện áp quá độ) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến. VMN2M Datasheet (PDF) | VMN2M | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| EDZCVT2R6.8B ROHM SemiconductorEDZCV6.8B là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến. EMD2 Datasheet (PDF) | EMD2 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| ESD16VASAFHT2RB ROHM SemiconductorESD16VASAFH là diode TVS lý tưởng để bảo vệ ESD trong thiết bị điện tử. Khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội. Sản phẩm đáp ứng tiêu chuẩn ô tô (đạt chuẩn AEC-Q101). DFN1006-2W (Wettable Flank) Datasheet (PDF) | DFN1006-2W (Wettable Flank) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
