Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

VS9V0UA1VWMTFTR

Bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) ô tô 9V 200W, nhỏ gọn, độ tin cậy cao

VS9V0UA1VWMTF là diode TVS độ tin cậy cao đạt chuẩn AEC-Q101, dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ.

VS9V0UA1VWMTFTR, PMDE

Thông số

Mã nhà sản xuất
VS9V0UA1VWMTFTR
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
PMDE
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
VS9V0UA1VWMTF
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp
Ô tô
Mã vỏ
PMDE
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Số chân
2
PPP @ 10/1000us (Max.) [W]
200
Cấu hình
Đơn
Số đường bảo vệ
1
VRWM [V]
9
VBR (Min.) [V]
10
VBR (Max.) [V]
11.2
IR (Max.) [uA]
0.1
VCL @ IPP 10/1000us (Max.) [V]
15.4
IPP 10x1000us (Max.) [A]
13
Tj [℃]
150
VESDIEC61000-4-2 [kV]
30
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
150
Kích thước vỏ [mm]
2.5x1.3 (t=1.0)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q101 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Diode TVS
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Số kênh hai chiều (Bidirectional Channels)1
Điện áp chờ ngược (Vrwm) (Voltage - Reverse Standoff (Typ))9V
Công suất xung đỉnh (Power - Peak Pulse)200W
Cấp (Grade)Automotive
Tiêu chuẩn (Qualification)AEC-Q101

Thông tin chi tiết

VS9V0UA1VWMTF là diode TVS độ tin cậy cao đạt chuẩn AEC-Q101, dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu suất tản nhiệt tốt.

Tính năng chính

  • Độ tin cậy cao
  • Loại mold nhỏ

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự

Mã tương tự
VS9V0UA1VWMTR

ROHM SemiconductorVS9V0UA1VWM là diode TVS dùng để bảo vệ chống xung đột biến và ổn định điện áp. Sản phẩm đạt đặc tính điện tương đương các sản phẩm ROHM hiện hành trong vỏ PMDE nhỏ. Vỏ PMDE có độ tin cậy cao và hiệu suất tản nhiệt tốt.

PMDE

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

VS9V0UD1HST15R

ROHM SemiconductorVS9V0UD1HS là diode TVS có kích thước cực nhỏ 0603 (0201 inch) nhưng có khả năng chống ESD cao và chịu dòng quá độ lớn. Lý tưởng để bảo vệ ESD cho tai nghe không dây và headset, đồng hồ thông minh, thiết bị di động.

SMD0603B

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

CDZCVT2R5.1B

ROHM SemiconductorCDZCV5.1B là diode TVS (bộ triệt xung điện áp quá độ) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến.

VMN2M

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

CDZCVT2R6.8B

ROHM SemiconductorCDZCV6.8B là diode TVS (bộ triệt xung điện áp quá độ) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến.

VMN2M

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

EDZCVT2R6.8B

ROHM SemiconductorEDZCV6.8B là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến.

EMD2

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

ESD16VASAFHT2RB

ROHM SemiconductorESD16VASAFH là diode TVS lý tưởng để bảo vệ ESD trong thiết bị điện tử. Khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội. Sản phẩm đáp ứng tiêu chuẩn ô tô (đạt chuẩn AEC-Q101).

DFN1006-2W (Wettable Flank)

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

ESD16VFMFHT106

ROHM SemiconductorESD16VFMFH là diode TVS lý tưởng để bảo vệ ESD trong thiết bị điện tử. Khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội. Sản phẩm đáp ứng tiêu chuẩn ô tô (đạt chuẩn AEC-Q101).

UMD3

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

ESD16VFMT106

ROHM SemiconductorESD16VFM là diode TVS lý tưởng để bảo vệ ESD trong thiết bị điện tử. Khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội.

UMD3

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá