VS9V0UD1HST15R
Dòng RASMID™, một chiều, TVS siêu nhỏ cho thiết bị di động
VS9V0UD1HS là diode TVS có kích thước cực nhỏ 0603 (0201 inch) nhưng có khả năng chống ESD cao và chịu dòng quá độ lớn. Lý tưởng để bảo vệ ESD cho tai nghe không dây và headset, đồng hồ thông minh, thiết bị di động.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- VS9V0UD1HST15R
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SMD0603B
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- VS9V0UD1HS
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 15000
- Mã vỏ
- SOD-962 (DSN0603-2)
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 2
- Công suất tiêu tán (PD) [mW]
- 100
- PPP @ 8/20us (Max.) [W]
- 128
- Cấu hình
- Một chiều
- Số đường bảo vệ
- 1
- VRWM [V]
- 9
- VBR (Min.) [V]
- 9.6
- VBR (Max.) [V]
- 11.8
- Điện dung [pF]
- 49
- IR (Max.) [uA]
- 0.1
- VCL @ IPP 8/20us (Max.) [V]
- 17
- IPP 8x20us (Max.) [A]
- 7.5
- VESDIEC61000-4-2 [kV]
- 30
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 0.6x0.3 (t=0.29)
Thông tin chi tiết
VS9V0UD1HS là diode TVS có kích thước cực nhỏ 0603 (0201 inch) nhưng có khả năng chống ESD cao và chịu dòng quá độ lớn. Lý tưởng để bảo vệ ESD cho tai nghe không dây và headset, đồng hồ thông minh, thiết bị di động.
Tính năng chính
- Độ tin cậy cao
- Bảo vệ ESD một chiều
- Mức bảo vệ ESD ±8kV (IEC61000-4-2 Contact)
- Cỡ 0603 siêu nhỏ
- Dung sai kích thước ±10um
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| CDZCVT2R5.1B ROHM SemiconductorCDZCV5.1B là diode TVS (bộ triệt xung điện áp quá độ) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến. VMN2M Datasheet (PDF) | VMN2M | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| CDZCVT2R6.8B ROHM SemiconductorCDZCV6.8B là diode TVS (bộ triệt xung điện áp quá độ) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến. VMN2M Datasheet (PDF) | VMN2M | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| EDZCVT2R6.8B ROHM SemiconductorEDZCV6.8B là bộ triệt xung điện áp quá độ (TVS) trong vỏ đúc nhỏ, phù hợp cho bảo vệ chống xung đột biến. EMD2 Datasheet (PDF) | EMD2 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| ESD16VASAFHT2RB ROHM SemiconductorESD16VASAFH là diode TVS lý tưởng để bảo vệ ESD trong thiết bị điện tử. Khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội. Sản phẩm đáp ứng tiêu chuẩn ô tô (đạt chuẩn AEC-Q101). DFN1006-2W (Wettable Flank) Datasheet (PDF) | DFN1006-2W (Wettable Flank) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| ESD16VFMFHT106 ROHM SemiconductorESD16VFMFH là diode TVS lý tưởng để bảo vệ ESD trong thiết bị điện tử. Khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội. Sản phẩm đáp ứng tiêu chuẩn ô tô (đạt chuẩn AEC-Q101). UMD3 Datasheet (PDF) | UMD3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| ESD16VFMT106 ROHM SemiconductorESD16VFM là diode TVS lý tưởng để bảo vệ ESD trong thiết bị điện tử. Khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội. UMD3 Datasheet (PDF) | UMD3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| ESD18VASAFHT2RB ROHM SemiconductorESD18VASAFH là diode TVS lý tưởng để bảo vệ ESD trong thiết bị điện tử. Khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội. Sản phẩm đáp ứng tiêu chuẩn ô tô (đạt chuẩn AEC-Q101). DFN1006-2W (Wettable Flank) Datasheet (PDF) | DFN1006-2W (Wettable Flank) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| ESD18VFMFHT106 ROHM SemiconductorESD18VFMFH là diode TVS lý tưởng để bảo vệ ESD trong thiết bị điện tử. Khả năng chịu xung cao mang lại khả năng bảo vệ vượt trội. Sản phẩm đáp ứng tiêu chuẩn ô tô (đạt chuẩn AEC-Q101). UMD3 Datasheet (PDF) | UMD3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
