SP8M6HZGTB
Power MOSFET bù (complementary) 30V
SP8M6HZG là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. MOSFET bù (Complementary) 30V kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOP8. Lý tưởng cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- SP8M6HZGTB
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SOP8
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- SP8M6HZG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- SOP8
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N+P
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 30
- Dòng drain ID [A]
- 5
- RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
- 0.058
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.052
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.036
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.058
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 3.9
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 2
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 4
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x5.0 (t=1.75)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET dãy |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
Thông tin chi tiết
SP8M6HZG là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. MOSFET bù (Complementary) 30V kèm diode bảo vệ ESD trong vỏ SOP8. Lý tưởng cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Vỏ gắn bề mặt nhỏ (SOP8)
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
- Không chứa halogen
- Mạ Sn 100%
- Đạt chuẩn AEC-Q101
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| TT8J21TR ROHM SemiconductorDISCRETE MOSFET SMD TSST-8 ARRAY 2P-CH 20Vdss 2.5A 650mW 1V@1mA Datasheet (PDF) | — | 400 có sẵn |
| ||
| UM6J1NTN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (P+P) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K31NFHATCN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K31NTN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K31WNHZGTR ROHM SemiconductorUM6K31WNHZG là MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N kép, tích hợp hai MOSFET trong vỏ SOT-363 (UMT6) nhỏ. Có điện trở dẫn (on-resistance) thấp, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K31WNTR ROHM SemiconductorUM6K31WN là MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N kép, tích hợp hai MOSFET trong vỏ SOT-363 (UMT6) nhỏ. Có đặc điểm điện trở ON thấp, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K33NTN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K34NTCN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
