TT8J21TR
DISCRETE MOSFET SMD TSST-8 ARRAY 2P-CH 20Vdss 2.5A 650mW 1V@1mA
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| UM6J1NTN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (P+P) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K31NFHATCN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K31NTN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K31WNHZGTR ROHM SemiconductorUM6K31WNHZG là MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N kép, tích hợp hai MOSFET trong vỏ SOT-363 (UMT6) nhỏ. Có điện trở dẫn (on-resistance) thấp, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K31WNTR ROHM SemiconductorUM6K31WN là MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N kép, tích hợp hai MOSFET trong vỏ SOT-363 (UMT6) nhỏ. Có đặc điểm điện trở ON thấp, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K33NTN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K34NTCN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| US6J11TR ROHM SemiconductorDISCRETE MOSFET SMD UMT6 ARRAY 2P-CH 12Vdss 1.3A 320mW 1Vgs@1mA Datasheet (PDF) | — | 100 có sẵn |
|
