UM6K31WNHZGTR
Dual N-channel, 60V 250mA, SOT-363, MOSFET tín hiệu nhỏ cho ô tô
UM6K31WNHZG là MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N kép, tích hợp hai MOSFET trong vỏ SOT-363 (UMT6) nhỏ. Có điện trở dẫn (on-resistance) thấp, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- UM6K31WNHZGTR
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- UMT6
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- UM6K31WNHZG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Mã vỏ
- SOT-363
- Vỏ JEITA
- SC-88
- Số chân
- 6
- Cực tính
- N+N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 60
- Dòng drain ID [A]
- 0.25
- RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
- 3
- RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
- 2.3
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 2.1
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 1.7
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 3
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 0.15
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 2.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.1x2.0 (t=1.0)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông tin chi tiết
UM6K31WNHZG là MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N kép, tích hợp hai MOSFET trong vỏ SOT-363 (UMT6) nhỏ. Có điện trở dẫn (on-resistance) thấp, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch. Sản phẩm đạt chuẩn AEC-Q101 cho các ứng dụng ô tô.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp.
- Vỏ gắn bề mặt nhỏ (UMT6).
- Mạ chân không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS.
- Không chứa halogen.
- Đạt chuẩn AEC-Q101.
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| UM6K31WNTR ROHM SemiconductorUM6K31WN là MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N kép, tích hợp hai MOSFET trong vỏ SOT-363 (UMT6) nhỏ. Có đặc điểm điện trở ON thấp, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K33NTN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UM6K34NTCN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| US6J11TR ROHM SemiconductorDISCRETE MOSFET SMD UMT6 ARRAY 2P-CH 12Vdss 1.3A 320mW 1Vgs@1mA Datasheet (PDF) | — | 100 có sẵn |
| ||
| US6M11TR ROHM SemiconductorDISCRETE MOSFET SMD UMT6 ARRAY 1N-CH/1P-CH 20Vdss/12Vdss 1.5A/1.3A 1W 1Vgs@1mA Datasheet (PDF) | — | 600 có sẵn |
| ||
| UT6J3TCR ROHM SemiconductorUT6J3 là MOSFET vỏ gắn bề mặt nhỏ cho ứng dụng chuyển mạch. HUML2020L8 (Dual) Datasheet (PDF) | HUML2020L8 (Dual) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UT6JA2TCR ROHM SemiconductorUT6JA2 là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ gắn bề mặt nhỏ cho ứng dụng chuyển mạch. HUML2020L8 (Dual) Datasheet (PDF) | HUML2020L8 (Dual) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UT6JA3TCR ROHM SemiconductorUT6JA3 là Power MOSFET điện trở ON thấp, phù hợp cho chuyển mạch. HUML2020L8 (Dual) Datasheet (PDF) | HUML2020L8 (Dual) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
