UM6K33NTN
MOSFET kênh N kép truyền động 1.2V
MOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- UM6K33NTN
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- UMT6
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- UM6K33N
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Mã vỏ
- SOT-363
- Vỏ JEITA
- SC-88
- Số chân
- 6
- Cực tính
- N+N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 50
- Dòng drain ID [A]
- 0.2
- RDS(on) [Ω] VGS=1.2V (Typ)
- 2.4
- RDS(on) [Ω] VGS=1.5V (Typ)
- 2
- RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
- 1.7
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 1.6
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 2.4
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 0.15
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 1.2
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.1x2.0 (t=0.9)
Thông tin chi tiết
MOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhiều nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- · Loại truyền động điện áp thấp (1.2V)
- · MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N kép
- · Đóng gói bề mặt (SMD) nhỏ
- · Không chì (Pb-free)/tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| UM6K34NTCN ROHM SemiconductorMOSFET loại phức hợp (N+N) được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. UMT6 Datasheet (PDF) | UMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| US6J11TR ROHM SemiconductorDISCRETE MOSFET SMD UMT6 ARRAY 2P-CH 12Vdss 1.3A 320mW 1Vgs@1mA Datasheet (PDF) | — | 100 có sẵn |
| ||
| US6M11TR ROHM SemiconductorDISCRETE MOSFET SMD UMT6 ARRAY 1N-CH/1P-CH 20Vdss/12Vdss 1.5A/1.3A 1W 1Vgs@1mA Datasheet (PDF) | — | 600 có sẵn |
| ||
| UT6J3TCR ROHM SemiconductorUT6J3 là MOSFET vỏ gắn bề mặt nhỏ cho ứng dụng chuyển mạch. HUML2020L8 (Dual) Datasheet (PDF) | HUML2020L8 (Dual) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UT6JA2TCR ROHM SemiconductorUT6JA2 là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ gắn bề mặt nhỏ cho ứng dụng chuyển mạch. HUML2020L8 (Dual) Datasheet (PDF) | HUML2020L8 (Dual) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UT6JA3TCR ROHM SemiconductorUT6JA3 là Power MOSFET điện trở ON thấp, phù hợp cho chuyển mạch. HUML2020L8 (Dual) Datasheet (PDF) | HUML2020L8 (Dual) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UT6JB5TCR ROHM SemiconductorUT6JB5 là MOSFET vỏ DFN phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. HUML2020L8 (Dual) Datasheet (PDF) | HUML2020L8 (Dual) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| UT6JC5TCR ROHM SemiconductorUT6JC5 là MOSFET vỏ DFN phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. HUML2020L8 (Dual) Datasheet (PDF) | HUML2020L8 (Dual) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
