Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RX3R05BBHC16

Power MOSFET kênh N 150V 50A, TO-220AB

RX3R05BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.

RX3R05BBHC16, TO-220AB

Thông số

Mã nhà sản xuất
RX3R05BBHC16
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-220AB
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RX3R05BBH
Kiểu đóng gói (Packing)
Ống (Tube)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
1000
Số lượng đóng gói tối thiểu
100
Mã vỏ
TO-220AB
Ứng dụng
Chuyển mạch
Số chân
3
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
150
Dòng drain ID [A]
50
RDS(on) [Ω] VGS=6V (Typ)
0.024
RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
0.022
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.024
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
25
Công suất tiêu tán (PD) [W]
89
Điện áp điều khiển (drive) [V]
6
Trr (Typ.) [ns]
115
Kiểu lắp
Loại có chân
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
15.35x10.16 (t=4.64)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))150 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)50A

Thông tin chi tiết

RX3R05BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Vỏ mold nhỏ công suất lớn (TO220AB)
  • Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
  • Kiểm tra 100% Rg và UIS
  • Không chứa halogen

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RX3R10BBHC16

ROHM SemiconductorRX3R10BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.

TO-220AB

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RXH070N03TB1

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RXH090N03TB1

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RXH100N03TB1

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RXH125N03TB1

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RY7P250BMTBC

ROHM SemiconductorRY7P250BM là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho Hot Swap Controller (HSC)

DFN8080T8LSHAAI

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RYM002N05T2CL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

VMT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RZM001P02T2L

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

VMT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá