RX3R10BBHC16
Power MOSFET kênh N 150V 105A, TO-220AB
RX3R10BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RX3R10BBHC16
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-220AB
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RX3R10BBH
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Ống (Tube)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 1000
- Số lượng đóng gói tối thiểu
- 100
- Mã vỏ
- TO-220AB
- Ứng dụng
- Chuyển mạch
- Số chân
- 3
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 150
- Dòng drain ID [A]
- 105
- RDS(on) [Ω] VGS=6V (Typ)
- 0.0072
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0068
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0072
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 86
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 181
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 6
- Trr (Typ.) [ns]
- 170
- Kiểu lắp
- Loại có chân
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 15.35x10.16 (t=4.64)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 150 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 105A |
Thông tin chi tiết
RX3R10BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Vỏ mold nhỏ công suất lớn (TO220AB)
- Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
- Kiểm tra 100% Rg và UIS
- Không chứa halogen
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RXH070N03TB1 ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RXH090N03TB1 ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RXH100N03TB1 ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RXH125N03TB1 ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RY7P250BMTBC ROHM SemiconductorRY7P250BM là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho Hot Swap Controller (HSC) DFN8080T8LSHAAI Datasheet (PDF) | DFN8080T8LSHAAI | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RYM002N05T2CL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RZM001P02T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RZM002P02T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
