RXH100N03TB1
MOSFET kênh N truyền động 4V
MOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RXH100N03TB1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SOP8
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RXH100N03
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Mã vỏ
- SOP8
- Ứng dụng
- Chuyển mạch
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 30
- Dòng drain ID [A]
- 10
- RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
- 0.013
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.012
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0095
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.013
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 11
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 2
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 4
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x5.0 (t=1.75)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 4 V |
Thông tin chi tiết
MOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- · Loại truyền động 4V
- · MOSFET kênh N công suất trung bình
- · Tốc độ chuyển mạch nhanh
- · Đóng gói bề mặt (SMD) nhỏ
- · Không chì (Pb-free)/tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RXH125N03TB1 ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RY7P250BMTBC ROHM SemiconductorRY7P250BM là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho Hot Swap Controller (HSC) DFN8080T8LSHAAI Datasheet (PDF) | DFN8080T8LSHAAI | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RYM002N05T2CL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RZM001P02T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RZM002P02T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2206 ROHM SemiconductorS2206 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2301 ROHM SemiconductorS2301 là MOSFET planar SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm điện áp chịu đựng cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S2303 ROHM SemiconductorS2303 là MOSFET công suất SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ở trạng thái ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
