RUM002N05T2L
MOSFET kênh N truyền động 1.2V
MOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RUM002N05T2L
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- VMT3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RUM002N05
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 8000
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 9 năm
- Mã vỏ
- SOT-723
- Vỏ JEITA
- SC-105AA
- Số chân
- 3
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 50
- Dòng drain ID [A]
- 0.2
- RDS(on) [Ω] VGS=1.2V (Typ)
- 2.4
- RDS(on) [Ω] VGS=1.5V (Typ)
- 2
- RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
- 1.7
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 1.6
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 2.4
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 0.15
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 1.2
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 1.2x1.2 (t=0.55)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 1.2 V |
Thông tin chi tiết
MOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- Chuyển mạch tốc độ cao
- Vỏ nhỏ (VMT3)
- Truyền động điện áp cực thấp (truyền động 1.2V)
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RUQ050N02HZGTR ROHM SemiconductorRUQ050N02HZG là MOSFET điện trở ON thấp, phù hợp cho chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới TSMT6 Datasheet (PDF) | TSMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RUR040N02HZGTL ROHM SemiconductorRUR040N02HZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới TSMT3 Datasheet (PDF) | TSMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV2C001ZPT2L ROHM SemiconductorRV2C001ZP có vỏ siêu nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV2C002UNT2L ROHM SemiconductorRV2C002UN có vỏ siêu nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV2C010UNT2L ROHM SemiconductorRV2C010UN có vỏ siêu nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV2C014BCT2CL ROHM SemiconductorRV2C014BC có vỏ nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV2E014AJT2CL ROHM SemiconductorRV2E014AJ là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV4C020ZPHZGTCR1 ROHM SemiconductorRV4C020ZPHZG là MOSFET cấp ô tô siêu nhỏ gọn, mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV4C020ZPHZG có chiều cao điện cực ở cạnh bên vỏ (130μm) theo yêu cầu cho ứng dụng trên xe nhờ công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền. DFN1616-6W (Wettable Flank) Datasheet (PDF) | DFN1616-6W (Wettable Flank) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
