RV2C001ZPT2L
MOSFET tín hiệu nhỏ kênh P truyền động 1.2V
RV2C001ZP có vỏ siêu nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RV2C001ZPT2L
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- VML1006
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RV2C001ZP
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 8000
- Mã vỏ
- DFN1006-3
- Vỏ JEITA
- SC-101
- Số chân
- 3
- Cực tính
- P
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- -20
- Dòng drain ID [A]
- -0.1
- RDS(on) [Ω] VGS=1.2V (Typ)
- 10
- RDS(on) [Ω] VGS=1.5V (Typ)
- 6
- RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
- 3.4
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 2.5
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 10
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 0.1
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- -1.2
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 1.0x0.6 (t=0.4)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 1.2 V |
Thông tin chi tiết
RV2C001ZP có vỏ siêu nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động.
Tính năng chính
- · Truyền động điện áp thấp giúp linh kiện này lý tưởng cho thiết bị di động.
- · Mạch truyền động có thể đơn giản.
- · Tích hợp diode bảo vệ ESD.
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RV2C002UNT2L ROHM SemiconductorRV2C002UN có vỏ siêu nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV2C010UNT2L ROHM SemiconductorRV2C010UN có vỏ siêu nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV2C014BCT2CL ROHM SemiconductorRV2C014BC có vỏ nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV2E014AJT2CL ROHM SemiconductorRV2E014AJ là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV4C020ZPHZGTCR1 ROHM SemiconductorRV4C020ZPHZG là MOSFET cấp ô tô siêu nhỏ gọn, mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV4C020ZPHZG có chiều cao điện cực ở cạnh bên vỏ (130μm) theo yêu cầu cho ứng dụng trên xe nhờ công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền. DFN1616-6W (Wettable Flank) Datasheet (PDF) | DFN1616-6W (Wettable Flank) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV4C060ZPHZGTCR1 ROHM SemiconductorRV4C060ZPHZG là MOSFET cấp ô tô siêu nhỏ gọn, mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV4C060ZPHZG có chiều cao điện cực ở cạnh bên vỏ (130μm) theo yêu cầu cho ứng dụng trên xe nhờ công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền. DFN1616-6W (Wettable Flank) Datasheet (PDF) | DFN1616-6W (Wettable Flank) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV4E031RPHZGTCR1 ROHM SemiconductorRV4E031RPHZG là MOSFET cấp ô tô siêu nhỏ gọn, mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV4C020ZPHZG có chiều cao điện cực ở cạnh bên vỏ (130μm) theo yêu cầu cho ứng dụng trên xe nhờ công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền. DFN1616-6W (Wettable Flank) Datasheet (PDF) | DFN1616-6W (Wettable Flank) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV4L016SNHZGTCR1 ROHM SemiconductorRV4L016SNHZG là MOSFET cấp ô tô siêu nhỏ gọn, mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV4L016SNHZG có chiều cao điện cực ở cạnh bên vỏ (130μm) theo yêu cầu cho ứng dụng trên xe nhờ công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền. DFN1616-6W (Wettable Flank) Datasheet (PDF) | DFN1616-6W (Wettable Flank) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
