Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RV2C010UNT2L

Power MOSFET kênh N 20V 1A

RV2C010UN có vỏ siêu nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động.

RV2C010UNT2L, VML1006

Thông số

Mã nhà sản xuất
RV2C010UNT2L
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
VML1006
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
RV2C010UN
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
8000
Mã vỏ
DFN1006-3
Vỏ JEITA
SC-101
Số chân
3
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
20
Dòng drain ID [A]
1
RDS(on) [Ω] VGS=1.2V (Typ)
0.7
RDS(on) [Ω] VGS=1.5V (Typ)
0.54
RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
0.4
RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
0.34
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.7
Công suất tiêu tán (PD) [W]
0.4
Điện áp điều khiển (drive) [V]
1.2
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
1.0x0.6 (t=0.4)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))20 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)1A

Thông tin chi tiết

RV2C010UN có vỏ siêu nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp.
  • Vỏ mold nhỏ công suất lớn (VML1006)
  • Mạ chân không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS.
  • Không chứa halogen.
  • Bảo vệ ESD đến 200V (MM)
  • đến 2kV (HBM)

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RV2C014BCT2CL

ROHM SemiconductorRV2C014BC có vỏ nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động.

VML1006

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RV2E014AJT2CL

ROHM SemiconductorRV2E014AJ là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.

VML1006

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RV4C020ZPHZGTCR1

ROHM SemiconductorRV4C020ZPHZG là MOSFET cấp ô tô siêu nhỏ gọn, mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV4C020ZPHZG có chiều cao điện cực ở cạnh bên vỏ (130μm) theo yêu cầu cho ứng dụng trên xe nhờ công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền.

DFN1616-6W (Wettable Flank)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RV4C060ZPHZGTCR1

ROHM SemiconductorRV4C060ZPHZG là MOSFET cấp ô tô siêu nhỏ gọn, mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV4C060ZPHZG có chiều cao điện cực ở cạnh bên vỏ (130μm) theo yêu cầu cho ứng dụng trên xe nhờ công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền.

DFN1616-6W (Wettable Flank)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RV4E031RPHZGTCR1

ROHM SemiconductorRV4E031RPHZG là MOSFET cấp ô tô siêu nhỏ gọn, mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV4C020ZPHZG có chiều cao điện cực ở cạnh bên vỏ (130μm) theo yêu cầu cho ứng dụng trên xe nhờ công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền.

DFN1616-6W (Wettable Flank)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RV4L016SNHZGTCR1

ROHM SemiconductorRV4L016SNHZG là MOSFET cấp ô tô siêu nhỏ gọn, mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV4L016SNHZG có chiều cao điện cực ở cạnh bên vỏ (130μm) theo yêu cầu cho ứng dụng trên xe nhờ công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền.

DFN1616-6W (Wettable Flank)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RV5A040APTCR1

ROHM SemiconductorRV5A040AP là MOSFET cho chuyển mạch, load switch, có diode bảo vệ G-S.

DFN1616-6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RV5C040APTCR1

ROHM SemiconductorRV5C040AP là MOSFET cho load switch, có diode bảo vệ G-S.

DFN1616-6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá