RUR040N02HZGTL
MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N 20V 4A cho ô tô
RUR040N02HZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RUR040N02HZGTL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TSMT3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RUR040N02HZG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 7 năm
- Mã vỏ
- SOT-346T
- Vỏ JEITA
- SC-96
- Số chân
- 3
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 20
- Dòng drain ID [A]
- 4
- RDS(on) [Ω] VGS=1.5V (Typ)
- 0.055
- RDS(on) [Ω] VGS=1.8V (Typ)
- 0.042
- RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
- 0.033
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.025
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.055
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 8
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 1
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 1.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.8x2.9 (t=1.0)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 20 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 4A |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
Thông tin chi tiết
RUR040N02HZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới
Tính năng chính
- Truyền động 1.5V
- Điện trở ON thấp
- Tích hợp diode bảo vệ G-S
- Vỏ gắn bề mặt nhỏ (TSMT3)
- Đạt chuẩn AEC-Q101
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RV2C001ZPT2L ROHM SemiconductorRV2C001ZP có vỏ siêu nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV2C002UNT2L ROHM SemiconductorRV2C002UN có vỏ siêu nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV2C010UNT2L ROHM SemiconductorRV2C010UN có vỏ siêu nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV2C014BCT2CL ROHM SemiconductorRV2C014BC có vỏ nhỏ (kích thước 1006), phù hợp cho thiết bị di động. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV2E014AJT2CL ROHM SemiconductorRV2E014AJ là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. VML1006 Datasheet (PDF) | VML1006 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV4C020ZPHZGTCR1 ROHM SemiconductorRV4C020ZPHZG là MOSFET cấp ô tô siêu nhỏ gọn, mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV4C020ZPHZG có chiều cao điện cực ở cạnh bên vỏ (130μm) theo yêu cầu cho ứng dụng trên xe nhờ công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền. DFN1616-6W (Wettable Flank) Datasheet (PDF) | DFN1616-6W (Wettable Flank) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV4C060ZPHZGTCR1 ROHM SemiconductorRV4C060ZPHZG là MOSFET cấp ô tô siêu nhỏ gọn, mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV4C060ZPHZG có chiều cao điện cực ở cạnh bên vỏ (130μm) theo yêu cầu cho ứng dụng trên xe nhờ công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền. DFN1616-6W (Wettable Flank) Datasheet (PDF) | DFN1616-6W (Wettable Flank) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RV4E031RPHZGTCR1 ROHM SemiconductorRV4E031RPHZG là MOSFET cấp ô tô siêu nhỏ gọn, mang lại độ tin cậy lắp đặt vượt trội. RV4C020ZPHZG có chiều cao điện cực ở cạnh bên vỏ (130μm) theo yêu cầu cho ứng dụng trên xe nhờ công nghệ tạo Wettable Flank độc quyền. DFN1616-6W (Wettable Flank) Datasheet (PDF) | DFN1616-6W (Wettable Flank) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
