RSX501L-20TE25
Diode Schottky hiệu suất cao, độ tin cậy cao
Diode Schottky của ROHM có VF thấp, IR thấp và khả năng chống ESD cao, phù hợp cho PC, điện thoại di động và nhiều thiết bị điện tử di động.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RSX501L-20TE25
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- PMDS
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RSX501L-20
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 1500
- Mã vỏ
- DO-214AC (SMA)
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 2
- VRM [V]
- 25
- Điện áp ngược VR [V]
- 20
- Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
- 5
- IFSM [A]
- 70
- Điện áp thuận VF (Max.) [V]
- 0.39
- IF @ điện áp thuận [A]
- 3
- Dòng ngược IR (Max.) [mA]
- 0.5
- VR @ dòng ngược [V]
- 20
- Tj [℃]
- 125
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -40
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 125
- Kích thước vỏ [mm]
- 5.0x2.6 (t=2.2)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Schottky |
Thông tin chi tiết
Diode Schottky của ROHM có VF thấp, IR thấp và khả năng chống ESD cao, phù hợp cho PC, điện thoại di động và nhiều thiết bị điện tử di động.
Tính năng chính
- Loại mold nhỏ. (PMDS)
- Loại VF thấp, IR thấp, độ tin cậy cao.
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RSX501LAM20TR ROHM SemiconductorRSX501LAM20 là diode Schottky IR thấp, VF thấp, phù hợp cho chỉnh lưu thông thường. PMDTM Datasheet (PDF) | PMDTM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6201 ROHM SemiconductorS6201 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6202 ROHM SemiconductorS6202 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6203 ROHM SemiconductorS6203 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6204 ROHM SemiconductorS6204 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6205 ROHM SemiconductorS6205 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6207 ROHM SemiconductorS6207 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| S6301 ROHM SemiconductorS6301 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao. Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
