Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RSX501LAM20TR

Diode Schottky 20V, 5A, SOD-128

RSX501LAM20 là diode Schottky IR thấp, VF thấp, phù hợp cho chỉnh lưu thông thường.

RSX501LAM20TR, PMDTM

Thông số

Mã nhà sản xuất
RSX501LAM20TR
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
PMDTM
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RSX501LAM20
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Chương trình cung cấp dài hạn
9 năm
Cấu hình
Đơn
Mã vỏ
SOD-128
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Số chân
2
VRM [V]
25
Điện áp ngược VR [V]
20
Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
5
IFSM [A]
100
Điện áp thuận VF (Max.) [V]
0.39
IF @ điện áp thuận [A]
3
Dòng ngược IR (Max.) [mA]
0.5
VR @ dòng ngược [V]
20
Tj [℃]
125
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
125
Kích thước vỏ [mm]
4.7x2.5 (t=1.05)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Diode chỉnh lưu
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)Schottky
Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max))20 V
Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io))5A

Thông tin chi tiết

RSX501LAM20 là diode Schottky IR thấp, VF thấp, phù hợp cho chỉnh lưu thông thường.

Tính năng chính

  • Loại power mold nhỏ (PMDTM)
  • Độ tin cậy cao
  • VF thấp và IR thấp

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
S6201

ROHM SemiconductorS6201 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6202

ROHM SemiconductorS6202 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6203

ROHM SemiconductorS6203 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6204

ROHM SemiconductorS6204 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6205

ROHM SemiconductorS6205 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6207

ROHM SemiconductorS6207 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6301

ROHM SemiconductorS6301 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

S6302

ROHM SemiconductorS6302 là diode Schottky Barrier SiC (Silicon Carbide) loại planar epitaxial. Tổng điện tích điện dung (Qc) nhỏ, giảm tổn hao chuyển mạch, cho phép hoạt động chuyển mạch tốc độ cao.

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá