RS7N200BHTB1
Power MOSFET kênh N 80V 230A, DFN5060-8S
RS7N200BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RS7N200BHTB1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- DFN5060T8LSHAAE
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RS7N200BH
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Mã vỏ
- DFN5060-8S
- Ứng dụng
- Chuyển mạch
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 80
- Dòng drain ID [A]
- 230
- RDS(on) [Ω] VGS=6V (Typ)
- 0.0021
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0017
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0021
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 45
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 180
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 6
- Trr (Typ.) [ns]
- 78
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x5.0 (t=1.1)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 80 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 230A |
Thông tin chi tiết
RS7N200BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Vỏ công suất lớn (DFN5060T8LSHAAE)
- Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
- Không chứa halogen
- Kiểm tra 100% Rg và UIS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RS7N200CHTB1 ROHM SemiconductorRS7N200CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7P150BHTB1 ROHM SemiconductorRS7P150BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7P200BMTB1 ROHM SemiconductorRS7P200BM là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho hot swap controller (HSC) DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7R125CHTB1 ROHM SemiconductorRS7R125CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RSH065N06TB1 ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RSH070N05TB1 ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RSH070P05TB1 ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RSM002N06T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
