RSH070P05TB1
MOSFET kênh P truyền động 4V
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RSH070P05TB1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- SOP8
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RSH070P05
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Mã vỏ
- SOP8
- Số chân
- 8
- Cực tính
- P
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- -45
- Dòng drain ID [A]
- -7
- RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
- 0.028
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.025
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.019
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.028
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 34
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 2
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- -4
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x5.0 (t=1.75)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 4 V |
Thông tin chi tiết
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhiều nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- · Loại truyền động 4V
- · MOSFET kênh P công suất trung bình
- · Tốc độ chuyển mạch nhanh
- · Đóng gói bề mặt (SMD) nhỏ
- · Không chì (Pb-free)/tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RSM002N06T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RSM002P03T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RSQ015N06HZGTR ROHM SemiconductorRSQ015N06HZG là MOSFET cho bộ chuyển đổi DC/DC. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới TSMT6 Datasheet (PDF) | TSMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RSQ015P10HZGTR ROHM SemiconductorRSQ015P10HZG là MOSFET điện trở ON thấp cho ô tô, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới TSMT6 Datasheet (PDF) | TSMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RSQ020N03HZGTR ROHM SemiconductorRSQ020N03HZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới TSMT6 Datasheet (PDF) | TSMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RSQ025P03HZGTR ROHM SemiconductorRSQ025P03HZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới TSMT6 Datasheet (PDF) | TSMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RSQ030N08HZGTR ROHM SemiconductorRSQ030N08HZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới TSMT6 Datasheet (PDF) | TSMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RSQ035N03HZGTR ROHM SemiconductorRSQ035N03HZG là MOSFET cấp ô tô có diode bảo vệ G-S, phù hợp cho chuyển mạch. TSMT6 Datasheet (PDF) | TSMT6 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
