Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RS7R125CHTB1

Power MOSFET kênh N 150V 125A, DFN5060-8S

RS7R125CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

RS7R125CHTB1, DFN5060T8LSHAAE

Thông số

Mã nhà sản xuất
RS7R125CHTB1
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
DFN5060T8LSHAAE
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RS7R125CH
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
2500
Mã vỏ
DFN5060-8S
Số chân
8
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
150
Dòng drain ID [A]
125
RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
0.0069
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0074
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
40
Công suất tiêu tán (PD) [W]
217
Điện áp điều khiển (drive) [V]
8
Trr (Typ.) [ns]
106
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
175
Kích thước vỏ [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))150 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)125A

Thông tin chi tiết

RS7R125CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Vỏ công suất lớn (DFN5060T8LSHAAE)
  • Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
  • Không chứa halogen
  • Kiểm tra 100% Rg và UIS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RSH065N06TB1

ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSH070N05TB1

ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSH070P05TB1

ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSM002N06T2L

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

VMT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSM002P03T2L

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

VMT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSQ015N06HZGTR

ROHM SemiconductorRSQ015N06HZG là MOSFET cho bộ chuyển đổi DC/DC. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới

TSMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSQ015P10HZGTR

ROHM SemiconductorRSQ015P10HZG là MOSFET điện trở ON thấp cho ô tô, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới

TSMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RSQ020N03HZGTR

ROHM SemiconductorRSQ020N03HZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới

TSMT6

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá