RS6R060BHTB1
Power MOSFET kênh N 150V 60A, HSOP8
RS6R060BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RS6R060BHTB1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HSOP8 (Single,TB1)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RS6R060BH
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Mã vỏ
- HSOP8
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 150
- Dòng drain ID [A]
- 60
- RDS(on) [Ω] VGS=6V (Typ)
- 0.0179
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0167
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0179
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 30
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 104
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 6
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x4.9 (t=1.1)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 150 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 60A |
Thông tin chi tiết
RS6R060BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Vỏ công suất lớn (HSOP8)
- Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
- Không chứa halogen
- Kiểm tra 100% Rg và UIS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RS6R085CHTB1 ROHM SemiconductorRS6R085CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7E200BGTB1 ROHM SemiconductorRS7E200BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7G200CGTB1 ROHM SemiconductorRS7G200CG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7G200CHTB1 ROHM SemiconductorRS7G200CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7L200CGTB1 ROHM SemiconductorRS7L200CG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7L200CHTB1 ROHM SemiconductorRS7L200CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7N160BHTB1 ROHM SemiconductorRS7N160BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7N200BHTB1 ROHM SemiconductorRS7N200BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
