Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RS6R085CHTB1

Power MOSFET kênh N 150V 85A, HSOP8

RS6R085CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

RS6R085CHTB1, HSOP8 (Single,TB1)

Thông số

Mã nhà sản xuất
RS6R085CHTB1
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
HSOP8 (Single,TB1)
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RS6R085CH
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
2500
Mã vỏ
HSOP8
Ứng dụng
Chuyển mạch
Số chân
8
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
150
Dòng drain ID [A]
85
RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
0.0116
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0124
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
23
Công suất tiêu tán (PD) [W]
166
Điện áp điều khiển (drive) [V]
8
Trr (Typ.) [ns]
105
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
175
Kích thước vỏ [mm]
6.0x4.9 (t=1.1)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))150 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)85A

Thông tin chi tiết

RS6R085CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Vỏ công suất lớn (HSOP8)
  • Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
  • Không chứa halogen
  • Kiểm tra 100% Rg và UIS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RS7E200BGTB1

ROHM SemiconductorRS7E200BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

DFN5060T8LSHAAE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS7G200CGTB1

ROHM SemiconductorRS7G200CG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

DFN5060T8LSHAAE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS7G200CHTB1

ROHM SemiconductorRS7G200CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

DFN5060T8LSHAAE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS7L200CGTB1

ROHM SemiconductorRS7L200CG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

DFN5060T8LSHAAE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS7L200CHTB1

ROHM SemiconductorRS7L200CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

DFN5060T8LSHAAE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS7N160BHTB1

ROHM SemiconductorRS7N160BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

DFN5060T8LSHAAE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS7N200BHTB1

ROHM SemiconductorRS7N200BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

DFN5060T8LSHAAE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS7N200CHTB1

ROHM SemiconductorRS7N200CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

DFN5060T8LSHAAE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá