RS7E200BGTB1
Power MOSFET kênh N 30V 390A, DFN5060-8S
RS7E200BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RS7E200BGTB1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- DFN5060T8LSHAAE
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RS7E200BG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Mã vỏ
- DFN5060-8S
- Ứng dụng
- Chuyển mạch
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 30
- Dòng drain ID [A]
- 390
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.00075
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.00053
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.00075
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 60
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 180
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 4.5
- Trr (Typ.) [ns]
- 86
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x5.0 (t=1.1)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 30 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 390A |
Thông tin chi tiết
RS7E200BG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Vỏ công suất lớn (DFN5060T8LSHAAE)
- Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
- Không chứa halogen
- Kiểm tra 100% Rg và UIS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RS7G200CGTB1 ROHM SemiconductorRS7G200CG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7G200CHTB1 ROHM SemiconductorRS7G200CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7L200CGTB1 ROHM SemiconductorRS7L200CG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7L200CHTB1 ROHM SemiconductorRS7L200CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7N160BHTB1 ROHM SemiconductorRS7N160BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7N200BHTB1 ROHM SemiconductorRS7N200BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7N200CHTB1 ROHM SemiconductorRS7N200CH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS7P150BHTB1 ROHM SemiconductorRS7P150BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. DFN5060T8LSHAAE Datasheet (PDF) | DFN5060T8LSHAAE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |