RQ3E110AJTB
Power MOSFET kênh N 30V 24A
RQ3E110AJ là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ gắn bề mặt nhỏ cho ứng dụng chuyển mạch.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RQ3E110AJTB
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HSMT8 (Single,TB)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RQ3E110AJ
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Mã vỏ
- HSMT8
- Ứng dụng
- Nguồn cấp
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 30
- Dòng drain ID [A]
- 24
- RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
- 0.0126
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.0088
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0126
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 13.5
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 15
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 2.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 3.3x3.3 (t=0.9)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 30 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 24A |
Thông tin chi tiết
RQ3E110AJ là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ gắn bề mặt nhỏ cho ứng dụng chuyển mạch.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp.
- Vỏ gắn bề mặt nhỏ (HSMT8)
- Mạ chân không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS.
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ3E120ATTB ROHM SemiconductorMOSFET công suất trung bình RQ3E120AT phù hợp cho nguồn chuyển mạch. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E120BNTB ROHM SemiconductorRQ3E120BN có vỏ công suất lớn, là MOSFET công suất trung bình cho ứng dụng chuyển mạch. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E120GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E130BNTB ROHM SemiconductorRQ3E130BN là MOSFET vỏ công suất lớn. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E150BNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E150GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E160ADTB1 ROHM SemiconductorMOSFET công suất trung bình RQ3E160AD phù hợp cho nguồn chuyển mạch. HSMT8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E180AJTB1 ROHM SemiconductorRQ3E180AJ là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch, có đặc điểm điện trở ON thấp. HSMT8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
