35.577 mã linh kiện trong 12 nhóm
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT3022ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3022AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3022ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3022ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3022KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3022KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3022KLHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3022KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3030ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3030AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3030ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3030ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3030ARC15 ROHM SemiconductorSCT3030AR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, điều khiển động cơ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời và trạm sạc EV cần hiệu suất cao. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3030ARHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3030ARHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3030AW7TL ROHM SemiconductorSCT3030AW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7L Datasheet (PDF) | TO-263-7L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3030KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3030KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3030KLHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3030KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3040KLGC11 ROHM SemiconductorSCT3040KL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3040KLHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3040KLHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3040KRC15 ROHM SemiconductorSCT3040KR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nhiều ứng dụng, gồm nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời, nguồn xung, điều khiển động cơ, gia nhiệt cảm ứng và trạm sạc EV cần hiệu suất cao. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3040KRHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3040KRHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3040KW7TL ROHM SemiconductorSCT3040KW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7L Datasheet (PDF) | TO-263-7L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3060ALGC11 ROHM SemiconductorSCT3060AL là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3060ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3060ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3060ARC15 ROHM SemiconductorSCT3060AR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời và trạm sạc EV cần hiệu suất cao. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3060ARHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3060ARHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3060AW7TL ROHM SemiconductorSCT3060AW7 là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-263-7L Datasheet (PDF) | TO-263-7L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080ALGC11 ROHM SemiconductorMOSFET công suất SiC (Silicon Carbide) kênh N 650V 30A. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080ALHRC11 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3080ALHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247N Datasheet (PDF) | TO-247N | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080ARC15 ROHM SemiconductorSCT3080AR là MOSFET SiC có cấu trúc trench gate được tối ưu cho nguồn máy chủ, bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời, trạm sạc EV, hệ thống gia nhiệt cảm ứng và điều khiển động cơ cần hiệu suất cao. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| SCT3080ARHRC15 ROHM SemiconductorSản phẩm cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. SCT3080ARHR là MOSFET trench SiC (Silicon Carbide). Đặc điểm gồm khả năng chịu điện áp cao, điện trở ON thấp và tốc độ chuyển mạch nhanh. TO-247-4L Datasheet (PDF) | TO-247-4L | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
