YQ30NL10SETL
Diode Schottky cấu trúc Trench MOS, 100V, 30A, TO-263L, hiệu suất cao
YQ30NL10SE là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- YQ30NL10SETL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- LPDL (TO-263L)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- YQ30NL10SE
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 1000
- Cấu hình
- Đơn
- Mã vỏ
- TO-263 (D2PAK)
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 3
- VRM [V]
- 100
- Điện áp ngược VR [V]
- 100
- Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
- 30
- IFSM [A]
- 200
- Điện áp thuận VF (Max.) [V]
- 0.86
- IF @ điện áp thuận [A]
- 30
- Dòng ngược IR (Max.) [mA]
- 0.15
- VR @ dòng ngược [V]
- 100
- Tj [℃]
- 150
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 15.1x10.1 (t=4.7)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Schottky |
| Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)) | 100 V |
| Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io)) | 30A |
Thông tin chi tiết
YQ30NL10SE là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. Lý tưởng cho nguồn xung, diode xả (freewheel) và các ứng dụng bảo vệ đảo cực.
Tính năng chính
- Độ tin cậy cao
- Loại power mold
- VF thấp và IR thấp
- Điện dung thấp
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| YQ3LAM10DTFTR ROHM SemiconductorYQ3LAM10DTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDTM Datasheet (PDF) | PMDTM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ3LAM10DTR ROHM SemiconductorYQ30NL10SDFH là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDTM Datasheet (PDF) | PMDTM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ3MM10BTFTR ROHM SemiconductorYQ3MM10BTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDU Datasheet (PDF) | PMDU | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ3MM10BTR ROHM SemiconductorYQ3MM10B là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDU Datasheet (PDF) | PMDU | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ3RSM10SDTFTL1 ROHM SemiconductorYQ3RSM10SDTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ3RSM10SDTL1 ROHM SemiconductorYQ3RSM10SD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ3VWM10BTFTR ROHM SemiconductorYQ3VWM10BTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ3VWM10BTR ROHM SemiconductorYQ3VWM10B là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDE Datasheet (PDF) | PMDE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
