Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

YQ3RSM10SDTFTL1

Diode Schottky cấu trúc Trench MOS, 100V, 3A, TO-277GE, hiệu suất cao dùng cho ô tô

YQ3RSM10SDTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

YQ3RSM10SDTFTL1, TO-277GE

Thông số

Mã nhà sản xuất
YQ3RSM10SDTFTL1
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-277GE
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
YQ3RSM10SDTF
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
4000
Cấu hình
Đơn
Mã vỏ
TO-277A
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Số chân
3
VRM [V]
100
Điện áp ngược VR [V]
100
Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
3
IFSM [A]
80
Điện áp thuận VF (Max.) [V]
0.64
IF @ điện áp thuận [A]
3
Dòng ngược IR (Max.) [mA]
0.03
VR @ dòng ngược [V]
100
Tj [℃]
175
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
175
Kích thước vỏ [mm]
6.5x4.6 (t=1.2)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q101 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Diode chỉnh lưu
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)Schottky
Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max))100 V
Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io))3A

Thông tin chi tiết

YQ3RSM10SDTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. Lý tưởng cho nguồn xung, diode xả (freewheel) và các ứng dụng bảo vệ đảo cực.

Tính năng chính

  • Độ tin cậy cao
  • Loại power mold
  • VF thấp và IR thấp
  • Điện dung thấp

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
YQ3RSM10SDTL1

ROHM SemiconductorYQ3RSM10SD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

TO-277GE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ3VWM10BTFTR

ROHM SemiconductorYQ3VWM10BTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

PMDE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ3VWM10BTR

ROHM SemiconductorYQ3VWM10B là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

PMDE

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ40NL10CDFHTL

ROHM SemiconductorYQ40NL10CDFH là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

LPDL (TO-263L)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ40NL10CDTL

ROHM SemiconductorYQ40NL10CD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

LPDL (TO-263L)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ5LAM10CTFTR

ROHM SemiconductorYQ5LAM10CTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

PMDTM

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ5LAM10CTR

ROHM SemiconductorYQ5LAM10C là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

PMDTM

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

YQ5LAM10DTFTR

ROHM SemiconductorYQ5LAM10DTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.

PMDTM

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá