YQ3VWM10BTR
Diode Schottky cấu trúc Trench MOS, 100V, 3A, PMDE, hiệu suất cao
YQ3VWM10B là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- YQ3VWM10BTR
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- PMDE
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- YQ3VWM10B
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấu hình
- Đơn
- Mã vỏ
- PMDE
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 2
- VRM [V]
- 100
- Điện áp ngược VR [V]
- 100
- Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
- 3
- IFSM [A]
- 30
- Điện áp thuận VF (Max.) [V]
- 0.88
- IF @ điện áp thuận [A]
- 3
- Dòng ngược IR (Max.) [mA]
- 0.01
- VR @ dòng ngược [V]
- 100
- Tj [℃]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.5x1.3 (t=1.0)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Schottky |
| Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)) | 100 V |
| Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io)) | 3A |
Thông tin chi tiết
YQ3VWM10B là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. Lý tưởng cho nguồn xung, diode xả (freewheel) và các ứng dụng bảo vệ đảo cực.
Tính năng chính
- Độ tin cậy cao
- Loại power mold nhỏ
- VF thấp và IR thấp
- Điện dung thấp
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| YQ40NL10CDFHTL ROHM SemiconductorYQ40NL10CDFH là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. LPDL (TO-263L) Datasheet (PDF) | LPDL (TO-263L) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ40NL10CDTL ROHM SemiconductorYQ40NL10CD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. LPDL (TO-263L) Datasheet (PDF) | LPDL (TO-263L) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ5LAM10CTFTR ROHM SemiconductorYQ5LAM10CTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDTM Datasheet (PDF) | PMDTM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ5LAM10CTR ROHM SemiconductorYQ5LAM10C là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDTM Datasheet (PDF) | PMDTM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ5LAM10DTFTR ROHM SemiconductorYQ5LAM10DTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDTM Datasheet (PDF) | PMDTM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ5LAM10DTR ROHM SemiconductorYQ5LAM10D là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDTM Datasheet (PDF) | PMDTM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ5LAM10ETFTR ROHM SemiconductorYQ5LAM10ETF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDTM Datasheet (PDF) | PMDTM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ5LAM10ETR ROHM SemiconductorYQ5LAM10E là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. PMDTM Datasheet (PDF) | PMDTM | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
