YQ5LAM10ETR
Diode Schottky cấu trúc Trench MOS, 100V, 5A, PMDTM, hiệu suất cao
YQ5LAM10E là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- YQ5LAM10ETR
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- PMDTM
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- YQ5LAM10E
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 10 năm
- Cấu hình
- Đơn
- Mã vỏ
- SOD-128
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 2
- VRM [V]
- 100
- Điện áp ngược VR [V]
- 100
- Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
- 5
- IFSM [A]
- 100
- Điện áp thuận VF (Max.) [V]
- 0.61
- IF @ điện áp thuận [A]
- 5
- Dòng ngược IR (Max.) [mA]
- 0.05
- VR @ dòng ngược [V]
- 100
- Tj [℃]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 4.7x2.5 (t=1.05)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Schottky |
| Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)) | 100 V |
| Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io)) | 5A |
Thông tin chi tiết
YQ5LAM10E là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. Lý tưởng cho nguồn xung, diode xả (freewheel) và các ứng dụng bảo vệ đảo cực.
Tính năng chính
- Độ tin cậy cao
- Loại power mold nhỏ
- VF thấp và IR thấp
- Điện dung thấp
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| YQ5RSM10SDTFTL1 ROHM SemiconductorYQ5RSM10SDTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ5RSM10SDTL1 ROHM SemiconductorYQ5RSM10SD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ60NL10CDFHTL ROHM SemiconductorYQ60NL10CDFH là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. LPDL (TO-263L) Datasheet (PDF) | LPDL (TO-263L) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ60NL10CDTL ROHM SemiconductorYQ60NL10CD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. LPDL (TO-263L) Datasheet (PDF) | LPDL (TO-263L) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ8RSM10SDTFTL1 ROHM SemiconductorYQ8RSM10SDTF là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| YQ8RSM10SDTL1 ROHM SemiconductorYQ8RSM10SD là diode Schottky hiệu suất cao, được thiết kế nhằm cải thiện sự đánh đổi giữa VF thấp và IR thấp. Với VF thấp, diode vẫn hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| 1SR154-600TE25 ROHM SemiconductorDIODE STANDARD SMD PMDS STANDARD 750V 1A VF1.1V 500nS Datasheet (PDF) | — | Đặt hàng trước |
| ||
| 1SS355VMFHTE-17 ROHM Semiconductor1SS355VMFH là diode epitaxial planar được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao, trong vỏ dán bề mặt mold nhỏ SOD-323FL. Đạt chuẩn AEC-Q101, phù hợp cho các ứng dụng ô tô. UMD2 Datasheet (PDF) | UMD2 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
