Bỏ qua tới nội dung

Nichicon

UWG1V4R7MCL1GB

Tụ nhôm dán 4.7µF 35V φ4×5.4mm Nichicon UWG1V4R7MCL1GB

4.7 µF, 35V, ±20%, φ4×5.4mm. Tụ nhôm dán UWG trở kháng thấp, 6.3 V – 50 V, 1 – 1500 µF, dải nhiệt rộng, đạt AEC-Q200 và RoHS, cho máy gắn tự động.

UWG1V4R7MCL1GB, φ4×5.4mm

Thông số

Mã nhà sản xuất
UWG1V4R7MCL1GB
Hãng sản xuất
Nichicon
Đóng gói
φ4×5.4mm
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Dòng (Series)
UWG
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất
Điện dung (Capacitance)
4.7 µF
Sai số điện dung (Tolerance)
±20%
Điện áp định mức (Rated Voltage)
35V
Dòng gợn tần số thấp (Low Frequency Ripple Current)
30 mA
Dòng gợn tần số cao (High Frequency Ripple Current)
60 mA
Dòng rò (Leakage Current)
3 µA
Dải nhiệt độ làm việc (Temperature Range)
-55 °C ~ 105 °C
Kích thước (Size)
φ4 × 5.4 mm (đường kính × cao)
Tuổi thọ (Life/Endurance)
1000 giờ ở 105 °C
Kiểu lắp (Mounting Type)
Dán bề mặt (SMD)
Tiêu chuẩn ô tô (AEC-Q200)
Có
Kiểu đóng gói (Packaging)
Cuộn băng (Embossed Carrier Taping)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Tụ nhôm
Hãng (Mfr)Nichicon
Dòng sản phẩm (Series)UWG
Cách đóng gói (Package)Tape & Reel (TR)
Trạng thái (Product Status)Active
Điện dung (Capacitance)4.7 µF
Sai số (Tolerance)±20%
Điện áp định mức (Voltage - Rated)35V
Tuổi thọ theo nhiệt độ (Lifetime @ Temp.)1000 Hrs @ 105°C
Nhiệt độ làm việc (Operating Temperature)-55°C ~ 105°C
Phân cực (Polarization)Polar
Chứng nhận (Ratings)AEC-Q200
Dòng gợn tần số thấp (Ripple Current @ Low Frequency)30 mA @ 120 Hz
Dòng gợn tần số cao (Ripple Current @ High Frequency)60 mA
Kích thước (Size / Dimension)0.157" Dia (4.00mm)
Chiều cao tối đa (Height - Seated (Max))0.213" (5.40mm)
Kiểu lắp (Mounting Type)Surface Mount
Vỏ (Package / Case)Radial, Can - SMD

Thông tin chi tiết

Dòng UWG cung cấp tụ nhôm điện phân dạng chip trở kháng thấp, được thiết kế để dán bề mặt trên PCB mật độ cao bằng máy gắn linh kiện tự động cấp liệu carrier tape. Các tụ đạt chuẩn AEC-Q200 và RoHS này hoạt động trong dải nhiệt độ rộng -55 °C đến +105 °C. Các mã UWG có điện áp định mức từ 6.3 V đến 50 V và điện dung từ 1 µF đến 1500 µF.

Tính năng chính

  • Trở kháng thấp
  • Dải nhiệt độ rộng -55 °C đến +105 °C
  • Dán bề mặt PCB mật độ cao bằng máy gắn tự động dùng carrier tape
  • Điện áp 6.3 V – 50 V, điện dung 1 µF – 1500 µF
  • Đạt chuẩn AEC-Q200 và RoHS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo Nichicon. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
UWG1V6R8MCL1GB

Nichicon6.8 µF, 35V, ±20%, φ5×5.4mm. Tụ nhôm dán UWG trở kháng thấp, 6.3 V – 50 V, 1 – 1500 µF, dải nhiệt rộng, đạt AEC-Q200 và RoHS, cho máy gắn tự động.

φ5×5.4mm

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UWH1A101MCL1GS

Nichicon100 µF, 10V, ±20%, φ8×6.2mm. Tụ chip độ tin cậy cao, chịu hàn reflow đến 260 °C, 10 V – 50 V, 10 µF – 330 µF, đạt AEC-Q200.

φ8×6.2mm

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UWH1A221MCL1GS

Nichicon220 µF, 10V, ±20%, φ8×10mm. Tụ chip độ tin cậy cao, chịu hàn reflow đến 260 °C, 10 V – 50 V, 10 µF – 330 µF, đạt AEC-Q200.

φ8×10mm

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UWH1A331MCL1GS

Nichicon330 µF, 10V, ±20%, φ10×10mm. Tụ chip độ tin cậy cao, chịu hàn reflow đến 260 °C, 10 V – 50 V, 10 µF – 330 µF, đạt AEC-Q200.

φ10×10mm

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UWH1C101MCL1GS

Nichicon100 µF, 16V, ±20%, φ8×10mm. Tụ chip độ tin cậy cao, chịu hàn reflow đến 260 °C, 10 V – 50 V, 10 µF – 330 µF, đạt AEC-Q200.

φ8×10mm

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UWH1C221MCL1GS

Nichicon220 µF, 16V, ±20%, φ10×10mm. Tụ chip độ tin cậy cao, chịu hàn reflow đến 260 °C, 10 V – 50 V, 10 µF – 330 µF, đạt AEC-Q200.

φ10×10mm

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UWH1E101MCL1GS

Nichicon100 µF, 25V, ±20%, φ8×10mm. Tụ chip độ tin cậy cao, chịu hàn reflow đến 260 °C, 10 V – 50 V, 10 µF – 330 µF, đạt AEC-Q200.

φ8×10mm

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

UWH1E221MCL1GS

Nichicon220 µF, 25V, ±20%, φ10×10mm. Tụ chip độ tin cậy cao, chịu hàn reflow đến 260 °C, 10 V – 50 V, 10 µF – 330 µF, đạt AEC-Q200.

φ10×10mm

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá