Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RTR030N05HZGTL

MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N 45V 3A cho ô tô

RTR030N05HZG là MOSFET điện trở ON thấp cho ô tô, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới

RTR030N05HZGTL, TSMT3

Thông số

Mã nhà sản xuất
RTR030N05HZGTL
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TSMT3
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
RTR030N05HZG
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Chương trình cung cấp dài hạn
7 năm
Mã vỏ
SOT-346T
Vỏ JEITA
SC-96
Số chân
3
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
45
Dòng drain ID [A]
3
RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
0.068
RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
0.053
RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
0.048
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.068
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
6.2
Công suất tiêu tán (PD) [W]
1
Điện áp điều khiển (drive) [V]
2.5
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
2.8x2.9 (t=1.0)
Tiêu chuẩn chung
AEC-Q101 (cấp ô tô)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))45 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)3A

Thông tin chi tiết

RTR030N05HZG là MOSFET điện trở ON thấp cho ô tô, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Tích hợp diode bảo vệ G-S
  • Vỏ gắn bề mặt nhỏ (TSMT3)
  • Đạt chuẩn AEC-Q101

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RTR030P02HZGTL

ROHM SemiconductorRTR030P02HZG là MOSFET điện trở ON thấp cho ô tô, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới

TSMT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RTR040N03HZGTL

ROHM SemiconductorRTR040N03HZG là MOSFET điện trở ON thấp cho ô tô, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới

TSMT3

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RU1C001UNTCL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

UMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RU1C001ZPTL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

UMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RU1C002UNTCL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

UMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RU1C002ZPTCL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

UMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RU1E002SPTCL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

UMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RU1J002YNTCL

ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.

UMT3F

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá