RU1C001ZPTL
MOSFET kênh P truyền động 1.2V
MOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RU1C001ZPTL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- UMT3F
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RU1C001ZP
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- SOT-323FL
- Vỏ JEITA
- SC-85
- Số chân
- 3
- Cực tính
- P
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- -20
- Dòng drain ID [A]
- -0.1
- RDS(on) [Ω] VGS=1.2V (Typ)
- 10
- RDS(on) [Ω] VGS=1.5V (Typ)
- 6
- RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
- 4.8
- RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
- 3.4
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 2.5
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 10
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 0.15
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- -1.2
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.1x2.0 (t=1.05)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 1.2 V |
Thông tin chi tiết
MOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- · Loại truyền động điện áp thấp (1.2V)
- · MOSFET tín hiệu nhỏ kênh P
- · Đóng gói bề mặt (SMD) nhỏ
- · Không chì (Pb-free)/tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RU1C002UNTCL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RU1C002ZPTCL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RU1E002SPTCL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RU1J002YNTCL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RU1L002SNTL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RUM001L02T2CL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RUM002N02T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RUM002N05T2L ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. VMT3 Datasheet (PDF) | VMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
