RTR030P02HZGTL
MOSFET tín hiệu nhỏ kênh P -20V -3A cho ô tô
RTR030P02HZG là MOSFET điện trở ON thấp cho ô tô, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RTR030P02HZGTL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TSMT3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RTR030P02HZG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Chương trình cung cấp dài hạn
- 7 năm
- Mã vỏ
- SOT-346T
- Vỏ JEITA
- SC-96
- Số chân
- 3
- Cực tính
- P
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- -20
- Dòng drain ID [A]
- -3
- RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
- 0.09
- RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
- 0.06
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.055
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.09
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 9.3
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 1
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- -2.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.8x2.9 (t=1.0)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 20 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 3A |
Thông tin chi tiết
RTR030P02HZG là MOSFET điện trở ON thấp cho ô tô, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Tích hợp diode bảo vệ G-S
- Vỏ gắn bề mặt nhỏ (TSMT3)
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
- Đạt chuẩn AEC-Q101
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RTR040N03HZGTL ROHM SemiconductorRTR040N03HZG là MOSFET điện trở ON thấp cho ô tô, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. Thông báo PCN sắp tới TSMT3 Datasheet (PDF) | TSMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RU1C001UNTCL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RU1C001ZPTL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RU1C002UNTCL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RU1C002ZPTCL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RU1E002SPTCL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RU1J002YNTCL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RU1L002SNTL ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3F Datasheet (PDF) | UMT3F | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
