RS1E280GNTB
MOSFET kênh N truyền động 4.5V
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RS1E280GNTB
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HSOP8 (Single,TB)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RS1E280GN
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Mã vỏ
- HSOP8
- Ứng dụng
- Nguồn cấp
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 30
- Dòng drain ID [A]
- 80
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.0026
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.002
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0026
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 17.1
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 31
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 4.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Mã linh kiện die trần
- Có sẵn: K4508
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x5.0 (t=1.1)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 4.5 V |
Thông tin chi tiết
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhiều nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Vỏ công suất lớn (HSOP8)
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
- Không chứa halogen
- Kiểm tra 100% Rg và UIS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1E281BNTB1 ROHM SemiconductorRS1E281BN là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn cho ứng dụng chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E301GNTB1 ROHM SemiconductorRS1E301GN là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E321GNTB1 ROHM SemiconductorRS1E321GN là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E350BNTB1 ROHM SemiconductorRS1E350BN là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch, có đặc điểm điện trở ON thấp. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1E350GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1G120MNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1G201ATTB1 ROHM SemiconductorRS1G201AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1L151ATTB1 ROHM SemiconductorRS1L151AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
