RS1E350GNTB
Power MOSFET kênh N 30V 80A
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RS1E350GNTB
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- HSOP8 (Single,TB)
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RS1E350GN
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Mã vỏ
- HSOP8
- Ứng dụng
- Nguồn cấp
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 30
- Dòng drain ID [A]
- 80
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.00192
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.00148
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.00192
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 32.7
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 39
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 4.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 6.0x5.0 (t=1.1)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 30 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 80A |
Thông tin chi tiết
Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhiều nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Vỏ công suất lớn (HSOP8)
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
- Không chứa halogen
- Kiểm tra 100% Rg và UIS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1G120MNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSOP8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1G201ATTB1 ROHM SemiconductorRS1G201AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1L151ATTB1 ROHM SemiconductorRS1L151AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1N110ATTB1 ROHM SemiconductorRS1N110AT là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch và truyền động động cơ. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1P090ATTB1 ROHM SemiconductorRS1P090AT là Power MOSFET điện trở ON thấp phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS1P600BHTB1 ROHM SemiconductorRS1P600BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, phù hợp cho công tắc phía sơ cấp, truyền động động cơ, bộ chuyển đổi DC/DC. HSOP8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSOP8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS3E075ATTB1 ROHM SemiconductorRS3E075AT có vỏ gắn bề mặt nhỏ, là MOSFET công suất trung bình cho ứng dụng chuyển mạch. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RS3E095BNGZETB ROHM SemiconductorRS3E095BN là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ gắn bề mặt nhỏ cho ứng dụng chuyển mạch. SOP8 Datasheet (PDF) | SOP8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
