Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RS1G120MNTB

Power MOSFET kênh N 40V 34A

Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

RS1G120MNTB, HSOP8 (Single,TB)

Thông số

Mã nhà sản xuất
RS1G120MNTB
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
HSOP8 (Single,TB)
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Mã gốc (Base Part No.)
RS1G120MN
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
2500
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Mã vỏ
HSOP8
Ứng dụng
Chuyển mạch
Số chân
8
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
40
Dòng drain ID [A]
34
RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
0.0156
RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
0.0116
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0156
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
4.4
Công suất tiêu tán (PD) [W]
25
Điện áp điều khiển (drive) [V]
4.5
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))40 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)34A

Thông tin chi tiết

Power MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhiều nhu cầu của thị trường.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Vỏ công suất lớn (HSOP8)
  • Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
  • Không chứa halogen
  • Kiểm tra 100% Rg và UIS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RS1G201ATTB1

ROHM SemiconductorRS1G201AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS1L151ATTB1

ROHM SemiconductorRS1L151AT là Power MOSFET, phù hợp cho ứng dụng load switch.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS1N110ATTB1

ROHM SemiconductorRS1N110AT là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch và truyền động động cơ.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS1P090ATTB1

ROHM SemiconductorRS1P090AT là Power MOSFET điện trở ON thấp phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS1P600BHTB1

ROHM SemiconductorRS1P600BH là Power MOSFET điện trở ON thấp, phù hợp cho công tắc phía sơ cấp, truyền động động cơ, bộ chuyển đổi DC/DC.

HSOP8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS3E075ATTB1

ROHM SemiconductorRS3E075AT có vỏ gắn bề mặt nhỏ, là MOSFET công suất trung bình cho ứng dụng chuyển mạch.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS3E095BNGZETB

ROHM SemiconductorRS3E095BN là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ gắn bề mặt nhỏ cho ứng dụng chuyển mạch.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RS3E130ATTB1

ROHM SemiconductorRS3E130AT là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ gắn bề mặt nhỏ cho ứng dụng chuyển mạch.

SOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá