RJU003N03FRAT106
MOSFET kênh N truyền động 2.5V (đạt chuẩn AEC-Q101)
MOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RJU003N03FRAT106
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- UMT3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RJU003N03FRA
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- SOT-323
- Vỏ JEITA
- SC-70
- Số chân
- 3
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 30
- Dòng drain ID [A]
- 0.3
- RDS(on) [Ω] VGS=2.5V (Typ)
- 1.4
- RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
- 0.9
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.8
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 1.4
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 0.2
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 2.5
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.1x2.0 (t=1.0)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 2.5 V |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
Thông tin chi tiết
MOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- · Loại truyền động 2.5V
- · MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N
- · Đóng gói bề mặt (SMD) nhỏ
- · Không chì (Pb-free)/tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ1A070ZPHZGTR ROHM SemiconductorRQ1A070ZPHZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới TSMT8 Datasheet (PDF) | TSMT8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ1E050RPHZGTR ROHM SemiconductorRQ1E050RPHZG là MOSFET cho ứng dụng chuyển mạch. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới TSMT8 Datasheet (PDF) | TSMT8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ1E070RPHZGTR ROHM SemiconductorRQ1E070RPHZG là MOSFET cho bộ chuyển đổi DC/DC. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới TSMT8 Datasheet (PDF) | TSMT8 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3C150BCTB ROHM SemiconductorMOSFET công suất trung bình RQ3C150BC phù hợp cho chuyển mạch và load switch. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E070BNTB1 ROHM SemiconductorRQ3E070BN là MOSFET vỏ công suất lớn (HSMT8) cho ứng dụng chuyển mạch. HSMT8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E075ATTB ROHM SemiconductorRQ3E075AT là MOSFET vỏ mold nhỏ công suất lớn (HSMT8) cho ứng dụng chuyển mạch. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E080BNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E080GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
