Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RQ3E070BNTB1

Power MOSFET kênh N 30V 15A

RQ3E070BN là MOSFET vỏ công suất lớn (HSMT8) cho ứng dụng chuyển mạch.

RQ3E070BNTB1, HSMT8 (Single,TB1)

Thông số

Mã nhà sản xuất
RQ3E070BNTB1
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
HSMT8 (Single,TB1)
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RQ3E070BN
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Mã vỏ
HSMT8
Ứng dụng
Chuyển mạch, động cơ
Số chân
8
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
30
Dòng drain ID [A]
15
RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
0.029
RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
0.02
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.029
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
4.6
Công suất tiêu tán (PD) [W]
13
Điện áp điều khiển (drive) [V]
4.5
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Mã linh kiện die trần
Có sẵn: K4009
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))30 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)15A

Thông tin chi tiết

RQ3E070BN là MOSFET vỏ công suất lớn (HSMT8) cho ứng dụng chuyển mạch.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp.
  • Vỏ công suất lớn (HSMT8)
  • Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
  • Không chứa halogen

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RQ3E075ATTB

ROHM SemiconductorRQ3E075AT là MOSFET vỏ mold nhỏ công suất lớn (HSMT8) cho ứng dụng chuyển mạch.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E080BNTB

ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E080GNTB

ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E100ATTB

ROHM SemiconductorRQ3E100AT là transistor độ tin cậy cao, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E100BNTB1

ROHM SemiconductorRQ3E100BN là MOSFET vỏ công suất lớn (HSMT8) cho chuyển mạch.

HSMT8 (Single,TB1)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E100GNTB

ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E110AJTB

ROHM SemiconductorRQ3E110AJ là MOSFET điện trở ON thấp, vỏ gắn bề mặt nhỏ cho ứng dụng chuyển mạch.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RQ3E120ATTB

ROHM SemiconductorMOSFET công suất trung bình RQ3E120AT phù hợp cho nguồn chuyển mạch.

HSMT8 (Single,TB)

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá