RQ1E070RPHZGTR
MOSFET tín hiệu nhỏ kênh P -30V -7A
RQ1E070RPHZG là MOSFET cho bộ chuyển đổi DC/DC. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RQ1E070RPHZGTR
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TSMT8
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RQ1E070RPHZG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- TSMT8
- Số chân
- 8
- Cực tính
- P
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- -30
- Dòng drain ID [A]
- -7
- RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
- 0.019
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.017
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.012
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.019
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 26
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 1.5
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- -4
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.8x3.0 (t=0.85)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 30 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 7A |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
Thông tin chi tiết
RQ1E070RPHZG là MOSFET cho bộ chuyển đổi DC/DC. Đây là sản phẩm cấp ô tô độ tin cậy cao, đạt chuẩn AEC-Q101. Thông báo PCN sắp tới
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Tích hợp diode bảo vệ G-S
- Vỏ gắn bề mặt nhỏ (TSMT8)
- Mạ chân không chì; tuân thủ RoHS
- Đạt chuẩn AEC-Q101
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ3C150BCTB ROHM SemiconductorMOSFET công suất trung bình RQ3C150BC phù hợp cho chuyển mạch và load switch. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E070BNTB1 ROHM SemiconductorRQ3E070BN là MOSFET vỏ công suất lớn (HSMT8) cho ứng dụng chuyển mạch. HSMT8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E075ATTB ROHM SemiconductorRQ3E075AT là MOSFET vỏ mold nhỏ công suất lớn (HSMT8) cho ứng dụng chuyển mạch. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E080BNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E080GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E100ATTB ROHM SemiconductorRQ3E100AT là transistor độ tin cậy cao, phù hợp cho ứng dụng chuyển mạch. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E100BNTB1 ROHM SemiconductorRQ3E100BN là MOSFET vỏ công suất lớn (HSMT8) cho chuyển mạch. HSMT8 (Single,TB1) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB1) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RQ3E100GNTB ROHM SemiconductorPower MOSFET được chế tạo thành linh kiện có điện trở ON thấp nhờ công nghệ vi gia công, hữu ích cho nhiều ứng dụng. HSMT8 (Single,TB) Datasheet (PDF) | HSMT8 (Single,TB) | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
