RJ1G04BBGTL1
Power MOSFET kênh N 40V 130A, TO-263AB
RJ1G04BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RJ1G04BBGTL1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-263AB-3LSHYAD
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RJ1G04BBG
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 800
- Mã vỏ
- TO-263AB
- Ứng dụng
- Chuyển mạch
- Số chân
- 3
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 40
- Dòng drain ID [A]
- 130
- RDS(on) [Ω] VGS=4.5V (Typ)
- 0.0032
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0024
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0032
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 28
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 89
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 4.5
- Trr (Typ.) [ns]
- 56
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 15.1×10.11 (t=4.77)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 40 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 130A |
Thông tin chi tiết
RJ1G04BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Vỏ công suất lớn (TO263AB)
- Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
- Không chứa halogen
- Kiểm tra 100% Rg và UIS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RJ1G10BBGTL1 ROHM SemiconductorRJ1G10BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1L04BBGTL1 ROHM SemiconductorRJ1L04BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1L10BBGTL1 ROHM SemiconductorRJ1L10BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1N04BBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1N04BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1N10BBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1N10BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1P04BBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1P04BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1P07CBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1P07CBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1P10BATTL1 ROHM SemiconductorRJ1P10BAT là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch và truyền động động cơ. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |