Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

RJ1P07CBHTL1

Power MOSFET kênh N 100V 120A, TO-263AB

RJ1P07CBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.

RJ1P07CBHTL1, TO-263AB-3LSHYAD

Thông số

Mã nhà sản xuất
RJ1P07CBHTL1
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
TO-263AB-3LSHYAD
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
RJ1P07CBH
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
800
Mã vỏ
TO-263AB
Ứng dụng
Chuyển mạch
Số chân
3
Cực tính
N
Điện áp drain-source VDSS [V]
100
Dòng drain ID [A]
120
RDS(on) [Ω] VGS=6V (Typ)
0.0047
RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
0.0039
RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0047
Tổng điện tích cổng Qg [nC]
48
Công suất tiêu tán (PD) [W]
135
Điện áp điều khiển (drive) [V]
6
Trr (Typ.) [ns]
74
Kiểu lắp
Dán bề mặt
Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
-55
Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
150
Kích thước vỏ [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)MOSFET
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Công nghệ (Technology)MOSFET (Metal Oxide)
Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss))100 V
Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C)120A

Thông tin chi tiết

RJ1P07CBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.

Tính năng chính

  • Điện trở ON thấp
  • Vỏ mold nhỏ công suất lớn (TO263AB)
  • Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
  • Kiểm tra 100% UIS

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
RJ1P10BATTL1

ROHM SemiconductorRJ1P10BAT là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch và truyền động động cơ.

TO-263AB-3LSHYAD

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RJ1P10BBHTL1

ROHM SemiconductorRJ1P10BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.

TO-263AB-3LSHYAD

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RJ1R04BBHTL1

ROHM SemiconductorRJ1R04BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

TO-263AB-3LSHYAD

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RJ1R10BBHTL1

ROHM SemiconductorRJ1R10BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch.

TO-263AB-3LSHYAD

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RJ2N17BBHTRDC

ROHM SemiconductorRJ2N17BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

TOLL

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RJ2P14BATTRDC

ROHM SemiconductorRJ2P14BAT là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ.

TOLL

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RJ2P14BBHTRDC

ROHM SemiconductorRJ2P14BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

TOLL-9LSATAC

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

RJ2P17BBHTRDC

ROHM SemiconductorRJ2P17BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

TOLL-9LSATAC

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá