RJ1P10BATTL1
Power MOSFET kênh P -100V -105A, TO-263AB
RJ1P10BAT là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch và truyền động động cơ.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RJ1P10BATTL1
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-263AB-3LSHYAD
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RJ1P10BAT
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 800
- Mã vỏ
- TO-263AB
- Ứng dụng
- Chuyển mạch
- Số chân
- 3
- Cực tính
- P
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- -100
- Dòng drain ID [A]
- -105
- RDS(on) [Ω] VGS=6V (Typ)
- 0.0104
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0094
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.0104
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 255
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 201
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- -6
- Trr (Typ.) [ns]
- 62
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 15.1×10.11 (t=4.77)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 100 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 105A |
Thông tin chi tiết
RJ1P10BAT là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch và truyền động động cơ.
Tính năng chính
- Điện trở ON thấp
- Vỏ công suất lớn (TO263AB)
- Mạ không chì (Pb-free); tuân thủ RoHS
- Không chứa halogen
- Kiểm tra 100% Rg và UIS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RJ1P10BBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1P10BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1R04BBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1R04BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1R10BBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1R10BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ2N17BBHTRDC ROHM SemiconductorRJ2N17BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TOLL Datasheet (PDF) | TOLL | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ2P14BATTRDC ROHM SemiconductorRJ2P14BAT là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ. TOLL Datasheet (PDF) | TOLL | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ2P14BBHTRDC ROHM SemiconductorRJ2P14BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TOLL-9LSATAC Datasheet (PDF) | TOLL-9LSATAC | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ2P17BBHTRDC ROHM SemiconductorRJ2P17BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TOLL-9LSATAC Datasheet (PDF) | TOLL-9LSATAC | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJU003N03FRAT106 ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
