RHU002N06FRAT106
MOSFET kênh N truyền động 4V (đạt chuẩn AEC-Q101)
MOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RHU002N06FRAT106
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- UMT3
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RHU002N06FRA
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Mã vỏ
- SOT-323
- Vỏ JEITA
- SC-70
- Số chân
- 3
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 60
- Dòng drain ID [A]
- 0.2
- RDS(on) [Ω] VGS=4V (Typ)
- 2.8
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 1.7
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 2.8
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 2.2
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 0.2
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 4
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 2.1x2.0 (t=1.0)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 4 V |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
Thông tin chi tiết
MOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. Dải sản phẩm rộng gồm loại nhỏ gọn, loại công suất lớn và loại phức hợp, đáp ứng nhu cầu của thị trường.
Tính năng chính
- · Loại truyền động 4V
- · MOSFET tín hiệu nhỏ kênh N
- · Đóng gói bề mặt (SMD) nhỏ
- · Không chì (Pb-free)/tuân thủ RoHS
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RJ1G04BBGTL1 ROHM SemiconductorRJ1G04BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1G10BBGTL1 ROHM SemiconductorRJ1G10BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1L04BBGTL1 ROHM SemiconductorRJ1L04BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1L10BBGTL1 ROHM SemiconductorRJ1L10BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1N04BBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1N04BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1N10BBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1N10BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1P04BBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1P04BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1P07CBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1P07CBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ mold nhỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
