RH7P04BBLFRATCB
Power MOSFET kênh N 100V 40A, DFN3333T8LSAB cho ô tô
RH7P04BBLFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body).
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RH7P04BBLFRATCB
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- DFN3333T8LSAB
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RH7P04BBLFRA
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 3000
- Cấp nhạy ẩm (MSL)
- 1
- Mã vỏ
- DFN3333T8LSAB
- Số chân
- 8
- Cực tính
- N
- Điện áp drain-source VDSS [V]
- 100
- Dòng drain ID [A]
- 40
- RDS(on) [Ω] VGS=6V (Typ)
- 0.015
- RDS(on) [Ω] VGS=10V (Typ)
- 0.0116
- RDS(on) [Ω] VGS=Drive (Typ)
- 0.015
- Tổng điện tích cổng Qg [nC]
- 9.6
- Công suất tiêu tán (PD) [W]
- 75
- Điện áp điều khiển (drive) [V]
- 6
- Trr (Typ.) [ns]
- 53
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Nhiệt độ lưu trữ (Min) [℃]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max) [℃]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 3.3x3.3 (t=1.1)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | MOSFET |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Điện áp D-S (Vdss) (Drain to Source Voltage (Vdss)) | 100 V |
| Dòng máng liên tục (Id) (Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C) | 40A |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
Thông tin chi tiết
RH7P04BBLFRA là MOSFET cấp ô tô đạt chuẩn AEC-Q101. Lý tưởng cho ADAS, Info. (thông tin giải trí), chiếu sáng và thân xe (Body).
Tính năng chính
- Sản phẩm Wettable Flank
- Đạt chuẩn AEC-Q101
- Kiểm tra avalanche 100%
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RHK003N06FRAT146 ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. SMT3 Datasheet (PDF) | SMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RHU002N06FRAT106 ROHM SemiconductorMOSFET được chế tạo với điện trở ON cực thấp nhờ công nghệ vi gia công, phù hợp cho thiết bị di động tiêu thụ dòng thấp. UMT3 Datasheet (PDF) | UMT3 | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1G04BBGTL1 ROHM SemiconductorRJ1G04BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1G10BBGTL1 ROHM SemiconductorRJ1G10BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1L04BBGTL1 ROHM SemiconductorRJ1L04BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1L10BBGTL1 ROHM SemiconductorRJ1L10BBG là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1N04BBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1N04BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RJ1N10BBHTL1 ROHM SemiconductorRJ1N10BBH là Power MOSFET điện trở ON thấp, vỏ công suất lớn, phù hợp cho chuyển mạch, truyền động động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC. TO-263AB-3LSHYAD Datasheet (PDF) | TO-263AB-3LSHYAD | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
