RFL60TZ6SGC13
Diode phục hồi cực nhanh 650V 60A, TO-247-2L, loại phục hồi siêu mềm
RFL60TZ6S là diode phục hồi cực nhanh loại epitaxial planar silicon với VF thấp và phục hồi mềm. Lý tưởng cho các ứng dụng chỉnh lưu thông thường và ứng dụng PFC (chế độ dòng điện gián đoạn).
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RFL60TZ6SGC13
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-247GE-2L
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RFL60TZ6S
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Ống (Tube)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 600
- Số lượng đóng gói tối thiểu
- 30
- Cấu hình
- Đơn
- Mã vỏ
- TO-247-2L
- Số chân
- 2
- VRM [V]
- 650
- Điện áp ngược VR [V]
- 650
- Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
- 60
- IFSM [A]
- 320
- Điện áp thuận VF (Max.) [V]
- 1.5
- IF @ điện áp thuận [A]
- 60
- Dòng ngược IR (Max.) [mA]
- 0.01
- VR @ dòng ngược [V]
- 650
- Trr (Max.) [ns]
- 75
- IF @ trr [mA]
- 500
- IR @ trr [A]
- 1
- Tj [℃]
- 175
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 175
- Kích thước vỏ [mm]
- 20.95x15.94 (t=5.22)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Standard |
| Điện áp ngược tối đa (Vr) (Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)) | 650 V |
| Dòng chỉnh lưu trung bình (Io) (Current - Average Rectified (Io)) | 60A |
| Kiểu lắp (Mounting Type) | Through Hole |
Thông tin chi tiết
RFL60TZ6S là diode phục hồi cực nhanh loại epitaxial planar silicon với VF thấp và phục hồi mềm. Lý tưởng cho các ứng dụng chỉnh lưu thông thường và ứng dụng PFC (chế độ dòng điện gián đoạn).
Tính năng chính
- Phục hồi nhanh / loại phục hồi siêu mềm
- Điện áp thuận thấp
- Khả năng chịu quá tải dòng điện cao
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RFN10BGE3STL ROHM SemiconductorRFN10BGE3S là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252GE Datasheet (PDF) | TO-252GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10BGE6STL ROHM SemiconductorRFN10BGE6S là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252GE Datasheet (PDF) | TO-252GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10BM3SFHTL ROHM SemiconductorRFN10BM3SFH là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252M Datasheet (PDF) | TO-252M | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10BM6SFHTL ROHM SemiconductorRFN10BM6SFH là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252M Datasheet (PDF) | TO-252M | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS3SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS3STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS4SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS4STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
