RFN10BGE3STL
Diode phục hồi siêu nhanh
RFN10BGE3S là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RFN10BGE3STL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-252GE
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RFN10BGE3S
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 2500
- Cấu hình
- Đơn
- Mã vỏ
- TO-252AA (D-PAK)
- Vỏ (JEITA)
- SC-63
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 3
- VRM [V]
- 350
- Điện áp ngược VR [V]
- 350
- Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
- 10
- Điện áp thuận VF (Max.) [V]
- 1.5
- IF @ điện áp thuận [A]
- 10
- Dòng ngược IR (Max.) [mA]
- 0.01
- VR @ dòng ngược [V]
- 350
- Trr (Max.) [ns]
- 30
- IF @ trr [mA]
- 500
- IR @ trr [A]
- 1
- Tj [℃]
- 150
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 10.0x6.6 (t=2.4)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Standard |
| Kiểu lắp (Mounting Type) | Through Hole |
Thông tin chi tiết
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RFN10BGE6STL ROHM SemiconductorRFN10BGE6S là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252GE Datasheet (PDF) | TO-252GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10BM3SFHTL ROHM SemiconductorRFN10BM3SFH là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252M Datasheet (PDF) | TO-252M | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10BM6SFHTL ROHM SemiconductorRFN10BM6SFH là diode phục hồi nhanh loại epitaxial planar silicon. TO-252M Datasheet (PDF) | TO-252M | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS3SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS3STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS4SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS4STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS6SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
