RFN10NS3SFHTL
Diode phục hồi nhanh (đạt chuẩn AEC-Q101)
Diode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch.
Thông số
- Mã nhà sản xuất
- RFN10NS3SFHTL
- Hãng sản xuất
- ROHM Semiconductor
- Đóng gói
- TO-263S
- RoHS
- Đạt chuẩn RoHS
- Tình trạng (Status)
- Đang sản xuất (Active)
- Mã gốc (Base Part No.)
- RFN10NS3SFH
- Kiểu đóng gói (Packing)
- Cuộn băng (Taping)
- Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
- 1000
- Cấu hình
- Đơn
- Mã vỏ
- TO-263AB (D2PAK)
- Vỏ (JEITA)
- SC-83
- Kiểu lắp
- Dán bề mặt
- Số chân
- 3
- VRM [V]
- 350
- Điện áp ngược VR [V]
- 350
- Dòng thuận chỉnh lưu trung bình IO [A]
- 10
- IFSM [A]
- 100
- Điện áp thuận VF (Max.) [V]
- 1.5
- IF @ điện áp thuận [A]
- 10
- Dòng ngược IR (Max.) [mA]
- 0.01
- VR @ dòng ngược [V]
- 350
- Trr (Max.) [ns]
- 30
- IF @ trr [mA]
- 500
- IR @ trr [A]
- 1
- Tj [℃]
- 150
- Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
- -55
- Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
- 150
- Kích thước vỏ [mm]
- 13.1x10.1 (t=4.7)
- Tiêu chuẩn chung
- AEC-Q101 (cấp ô tô)
Thông số kỹ thuật
| Danh mục (Category) | Diode chỉnh lưu |
|---|---|
| Hãng (Mfr) | ROHM Semiconductor |
| Công nghệ (Technology) | Standard |
| Cấp (Grade) | Automotive |
| Tiêu chuẩn (Qualification) | AEC-Q101 |
Thông tin chi tiết
Diode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch.
Tính năng chính
- Loại power mold.
- Sản phẩm VF cực thấp, chuyển mạch tốc độ cực cao và tổn hao chuyển mạch thấp.
Tài liệu
- Datasheet (tiếng Anh)
Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.
Mã tương tự
| Ảnh | Mã linh kiện | Đóng gói | Tồn kho | Đơn giá (chưa VAT) | Đặt mua |
|---|---|---|---|---|---|
| RFN10NS3STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS4SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS4STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS6SFHTL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS6STL ROHM SemiconductorDiode phục hồi nhanh của ROHM có tốc độ cực cao, VF thấp, phù hợp để tăng đáng kể hiệu suất nguồn xung cũng như giảm tổn hao chuyển mạch. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS8DFHTL ROHM SemiconductorRFN10NS8DFH là diode phục hồi nhanh độ tin cậy cao dùng cho chỉnh lưu thông thường. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10NS8DTL ROHM SemiconductorRFN10NS8D là diode phục hồi nhanh VF thấp và tổn hao chuyển mạch thấp, phù hợp cho chỉnh lưu thông thường. TO-263S Datasheet (PDF) | TO-263S | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá | ||
| RFN10RSM2STFTL1 ROHM SemiconductorRFN10RSM2STF là diode phục hồi cực nhanh loại epitaxial planar silicon với VF thấp và tổn hao chuyển mạch thấp. Lý tưởng cho các ứng dụng chỉnh lưu thông thường. TO-277GE Datasheet (PDF) | TO-277GE | Đặt hàng trước | Liên hệ báo giá |
