Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BM65375S-VC

Intelligent Power Module (IPM) MOSFET (PrestoMOS™) 600V

BM65375S-VC là Intelligent Power Module gồm mạch điều khiển cổng (gate driver), diode bootstrap và MOSFET.

BM65375S-VC, HSDIP25VC

Thông số

Mã nhà sản xuất
BM65375S-VC
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
HSDIP25VC
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Đang sản xuất (Active)
Kiểu đóng gói (Packing)
Ống (Tube)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
60
Linh kiện công suất
MOSFET
VDSS [V]
600
ID [A]
20
Tần số chuyển mạch khuyến nghị [kHz]
～20
Điện áp cách ly [Vrms]
1500
Nhiệt độ lưu trữ (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ lưu trữ (Max.) [°C]
125
Kích thước vỏ [mm]
38x24 (t=3.75)
Tải datasheet (PDF)

Thông tin chi tiết

BM65375S-VC là Intelligent Power Module gồm mạch điều khiển cổng (gate driver), diode bootstrap và MOSFET.

Tính năng chính

  • Biến tần DC-AC 3 pha
  • 600V/15A
  • MOSFET phía thấp (low side) có source hở
  • Tích hợp diode bootstrap
  • Mạch điều khiển cổng MOSFET phía cao (HVIC): quy trình SOI (Silicon On Insulator), mạch điều khiển, dịch mức điện áp cao, giới hạn dòng cho diode bootstrap, khóa khi điện áp nguồn điều khiển thấp (UVLO)
  • Mạch điều khiển cổng MOSFET phía thấp (LVIC): mạch điều khiển, bảo vệ dòng ngắn mạch (SCP), khóa khi điện áp nguồn điều khiển thấp (UVLO), ngắt nhiệt (TSD)
  • Tín hiệu lỗi (LVIC) tương ứng với lỗi SCP (MOSFET phía thấp), TSD, UVLO
  • Giao tiếp ngõ vào mức 3.3V, 5V
  • Được UL công nhận: File E468261

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự

Mã tương tự
BSM300D12P4G101

ROHM SemiconductorBSM300D12P4G101 là module nửa cầu (half bridge) gồm SiC-UMOSFET, phù hợp cho điều khiển động cơ, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi, quang điện, phát điện gió, thiết bị gia nhiệt cảm ứng.

G Type

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BSM450D12P4G102

ROHM SemiconductorBSM450D12P4G102 là module nửa cầu (half bridge) gồm SiC-UMOSFET, phù hợp cho điều khiển động cơ, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi, quang điện, phát điện gió, thiết bị gia nhiệt cảm ứng.

G Type

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BSM600D12P4G103

ROHM SemiconductorBSM600D12P4G103 là module nửa cầu (half bridge) gồm SiC-UMOSFET, phù hợp cho điều khiển động cơ, bộ nghịch lưu, bộ chuyển đổi, quang điện, phát điện gió, thiết bị gia nhiệt cảm ứng.

G Type

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BST25B2P4K01-VC

ROHM SemiconductorBST25B2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc.

HSDIP20

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BST25T2P4K01-VC

ROHM SemiconductorBST25T2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc.

HSDIP20

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BST31B1P4K01-VC

ROHM SemiconductorBST31B1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc.

HSDIP20

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BST31T1P4K01-VC

ROHM SemiconductorBST31T1P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 750V, thiết kế với cấu trúc 6-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc.

HSDIP20

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BST38B2P4K01-VC

ROHM SemiconductorBST38B2P4K01 là module SiC đúc (molded) hiệu năng cao định mức 1200V, thiết kế với cấu trúc 4-in-1 lý tưởng cho các mạch PFC và LLC trong bộ sạc on-board (OBC). HSDIP20 có đế cách điện với đặc tính tản nhiệt xuất sắc.

HSDIP20

Datasheet (PDF)		Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá