Bỏ qua tới nội dung

ROHM Semiconductor

BD77502FVM-TR

EMARMOUR™, Nano Cap™, op-amp CMOS ground sense tốc độ cao có đặc tính EMI xuất sắc

BD77502FVM là op-amp CMOS ground sense kép. Dải điện áp hoạt động rộng từ 7V đến 15V. Op-amp này phù hợp nhất cho nhiều ứng dụng, đặc biệt là bộ khuếch đại cảm biến, vì có slew rate cao và dòng phân cực ngõ vào thấp.

BD77502FVM-TR, MSOP8

Thông số

Mã nhà sản xuất
BD77502FVM-TR
Hãng sản xuất
ROHM Semiconductor
Đóng gói
MSOP8
RoHS
Đạt chuẩn RoHS
Tình trạng (Status)
Khuyến nghị cho thiết kế mới (Recommended)
Mã gốc (Base Part No.)
BD77502FVM
Kiểu đóng gói (Packing)
Cuộn băng (Taping)
Số lượng mỗi đơn vị đóng gói
3000
Cấp nhạy ẩm (MSL)
1
Kênh
2
Vỏ
MSOP8
Mã tham chiếu
VSSOP-8
Kích thước vỏ [mm]
4.0x2.9 (t=0.9)
Nguồn cấp (Min.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
7
Nhiệt độ hoạt động (Min.) [°C]
-40
Nhiệt độ hoạt động (Max.) [°C]
85
Nguồn cấp (Max.) [V] (+5V=5, ±5V=10)
15
Dòng mạch (Typ.) [mA/ch]
1.3
Dải điện áp đầu vào [V]
VSS đến VDD-2.0
Dải điện áp đầu ra [V]
VSS+0.07 đến VDD-0.06
Điện áp lệch đầu vào (Max.) [mV]
27
GBW (Typ.) [MHz]
8
Dòng điện đầu ra (Typ.) [mA]
7.5
Tốc độ biến thiên (slew rate) (Typ.) [V/µs]
10
Độ lợi điện áp (Typ.) [dB]
75
Dòng phân cực đầu vào (Typ.) [nA]
0.001
CMRR (Typ.) [dB]
70
PSRR (Typ.) [dB]
70
Tải datasheet (PDF)

Thông số kỹ thuật

Danh mục (Category)Op-amp, khuếch đại đo lường, đệm
Hãng (Mfr)ROHM Semiconductor
Cách đóng gói (Package)Tape & Reel (TR)

Thông tin chi tiết

BD77502FVM là op-amp CMOS ground sense kép. Dải điện áp hoạt động rộng từ 7V đến 15V. Op-amp này phù hợp nhất cho nhiều ứng dụng, đặc biệt là bộ khuếch đại cảm biến, vì có slew rate cao và dòng phân cực ngõ vào thấp. Ngoài ra, BD77502FVM có ưu điểm chịu EMI, giúp dễ thay thế sản phẩm thông thường hoặc đơn giản hóa thiết kế EMI. Hơn nữa, loại mạch này không dao động ngay cả với tụ điện vài nF. Có thể thiết kế thiết bị mà không lo dao động do điện dung ngõ ra.

Tính năng chính

  • Dòng EMARMOUR™
  • OPAMP tích hợp Nano Cap™
  • Hoạt động với nguồn đơn
  • Ngõ vào và ngõ ra có thể hoạt động ở mức GND (GND sense)
  • Slew rate cao
  • Dải điện áp nguồn hoạt động rộng
  • Độ lợi điện áp vòng hở cao

Tài liệu

Thông tin và hình ảnh theo ROHM. Liên hệ R&P để được tư vấn chọn mã phù hợp và báo giá.

Mã tương tự
BD77504FV-E2

ROHM SemiconductorBD77504FV là op-amp CMOS ground sense bốn kênh. Dải điện áp hoạt động rộng từ 7 V đến 15 V.

SSOP-B14

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD87521G-LBTR

ROHM SemiconductorSản phẩm này là sản phẩm xếp hạng cho thị trường thiết bị công nghiệp. Đây là sản phẩm tốt nhất để dùng trong các ứng dụng này. BD87521G-LB là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD87521YG-CTR

ROHM SemiconductorBD87521YG-C là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 15V.

SSOP5

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD87522FJ-LBE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này được đảm bảo hỗ trợ dài hạn trong thị trường công nghiệp và phù hợp cho các ứng dụng công nghiệp. BD87522FJ-LB là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 15V.

SOP-J8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD87522YFJ-CE2

ROHM SemiconductorBD87522YFJ-C là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 15V.

SOP-J8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD87522YFVM-CTR

ROHM SemiconductorBD87522YFVM-C là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 15V.

MSOP8

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD87524FV-LBE2

ROHM SemiconductorSản phẩm này được đảm bảo hỗ trợ dài hạn trong thị trường công nghiệp và phù hợp cho các ứng dụng công nghiệp. BD87524FV-LB là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 15V.

SSOP-B14

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá

BD87524YFV-CE2

ROHM SemiconductorBD87524YFV-C là op-amp CMOS rail-to-rail ngõ vào/ngõ ra. Dải điện áp hoạt động rộng từ 4V đến 15V.

SSOP-B14

Datasheet (PDF)
Đặt hàng trướcLiên hệ báo giá